具有垂直传输埋栅结构的CMOS图像传感器及制备方法技术

本发明专利技术提供一种具有垂直传输埋栅结构的CMOS图像传感器及制备方法，在像素中制备垂直传输埋栅结构，且在垂直传输埋栅结构包围的第一导电类型掺杂区中制备第一浮动扩散区以作为垂直传输埋栅结构的源漏掺杂区，使得垂直传输埋栅结构、复位栅结构在竖向上的投影均位于光电二极管的区域内，从而可扩大光电二极管在整个像素中的面积比，以在有限的空间内满足图像传感器对于FWC的需求，且通过垂直传输埋栅结构还可减少传输栅与浮动扩散区之间的交叠，进而解决GIDL的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于图像传感器，涉及一种具有垂直传输埋栅结构的cmos图像传感器及制备方法。

技术介绍

1、图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号的功能器件。其中，图像传感器依据其采用的原理可包括cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补型金属氧化物半导体)图像传感器和ccd(charged coupled device，电荷耦合器件)图像传感器两种类型，ccd图像传感器与cmos图像传感器在不同的应用场景下各有优势，但随着制造cmos图像传感器工艺和技术的快速发展与不断提升，cmos图像传感器占据越来越重要的地位。

2、其中，cmos图像传感器已经广泛的应用在人们的日常生活中，如数码相机、移动手机、医疗器械、汽车和其他应用场合。随着技术的发展，cmos图像传感器的集成度越来越高，感光像素(pixel)越做越小，如何满足cmos图像传感器的像素中对于作为感光区的光电二极管(pd)的满陷容量(full-well capacity，fwc)的要求，已成为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有垂直传输埋栅结构的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的具有垂直传输埋栅结构的CMOS图像传感器，其特征在于：所述浮动扩散区还包括第二浮动扩散区，所述第二浮动扩散区位于所述垂直传输埋栅结构和所述复位栅结构之间以作为所述复位栅结构的源漏掺杂区，其中，所述第一浮动扩散区及所述第二浮动扩散区间隔设置且电连接。

3.根据权利要求1所述的具有垂直传输埋栅结构的CMOS图像传感器，其特征在于：所述垂直传输埋栅结构沿横向的截面形貌包括圆形、椭圆形或方形。

4.根据权利要求1所述的具有垂直传输埋栅结构的CMO...

【技术特征摘要】

1.一种具有垂直传输埋栅结构的cmos图像传感器，其特征在于，所述cmos图像传感器包括：

2.根据权利要求1所述的具有垂直传输埋栅结构的cmos图像传感器，其特征在于：所述浮动扩散区还包括第二浮动扩散区，所述第二浮动扩散区位于所述垂直传输埋栅结构和所述复位栅结构之间以作为所述复位栅结构的源漏掺杂区，其中，所述第一浮动扩散区及所述第二浮动扩散区间隔设置且电连接。

3.根据权利要求1所述的具有垂直传输埋栅结构的cmos图像传感器，其特征在于：所述垂直传输埋栅结构沿横向的截面形貌包括圆形、椭圆形或方形。

4.根据权利要求1所述的具有垂直传输埋栅结构的cmos图像传感器，其特征在于：所述第一导电类型掺杂区上还设置有读出电路栅结构，且所述读出电路栅结构在竖向的投影位于所述光电二极管的区域内；所述读出电路栅结构包括源跟随栅结构及行选择栅结构中的一种或组合。

5.根据权利要求1所述的具有垂直传输埋栅结构的cmos图像传感器，其特征在于：所述第二导电类型掺杂区中设置有与所述第一浮动扩散区对应设置的第二导电类型掺杂凸起部...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞博，孙赛，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：