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本发明提供一种具有垂直传输埋栅结构的CMOS图像传感器及制备方法，在像素中制备垂直传输埋栅结构，且在垂直传输埋栅结构包围的第一导电类型掺杂区中制备第一浮动扩散区以作为垂直传输埋栅结构的源漏掺杂区，使得垂直传输埋栅结构、复位栅结构在竖向上的投...
该专利属于思特威（上海）电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过思特威（上海）电子科技股份有限公司授权不得商用。

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