研磨液、研磨方法、零件的制造方法及半导体零件的制造方法技术

一种研磨液，其含有：磨粒，包含铈氧化物；选自由芳香族羧酸及其盐组成的组中的至少一种芳香族羧酸化合物；及卤化物离子。一种研磨方法，其中，使用所述研磨液对被研磨部件进行研磨。一种零件的制造方法，其中，使用通过所述研磨方法进行研磨的被研磨部件而得到零件。一种半导体零件的制造方法，其中，使用通过所述研磨方法进行研磨的被研磨部件而得到半导体零件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种研磨液，研磨方法、零件的制造方法及半导体零件的制造方法等。

技术介绍

1、近年来，在电子器件的制造工序中，用于高密度化，微细化等的加工技术的重要性日益增加。作为加工技术之一的cmp(chemical mechanical polishi ng：化学机械研磨)技术成为在电子器件的制造工序中，在浅沟槽隔离(浅沟槽绝缘：sti)的形成、预金属绝缘材料或层间绝缘材料的平坦化、插头或嵌入金属布线的形成等中必须的技术。作为用于cmp的研磨液，已知有含有包含铈氧化物的磨粒的研磨液(例如，参考下述专利文献1及2)。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平10-106994号公报

5、专利文献2：日本特开平08-022970号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、然而，在含有包含铈氧化物的磨粒的研磨液中，在具有由凸部及凹部构成的凹凸图案的图案晶圆的研磨中，可能难以实现凸部的硅氧化物的高研磨速度。

3、本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种研磨液，其含有：

2.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

3.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

4.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

5.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

6.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

7.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

8.根据权利要求1所述的研磨液，其还含有碱金属离子。

9.根据权利要求1所述的研磨液，其还含有含氮阳离子。

10.根据权利要求9所述的研磨液，其中，

11.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种研磨液，其含有：

2.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

3.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

4.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

5.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

6.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

7.根据权利要求1所述的研磨液，其中，

8.根据权利要求1所述的研磨液，其还含有碱金属离子。

9.根据权利要求1所述的研磨液，其还含有含氮阳离子。

10.根据权利要求9所述的研磨液，...

【专利技术属性】
技术研发人员：小沼平，平尾昂平，仓田靖，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：