层叠结构及薄膜晶体管制造技术

一种层叠结构，具有以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜(11)和与所述晶体氧化物半导体膜(11)相接地层叠的第一绝缘膜(12)，所述晶体氧化物半导体膜(11)的平均硅浓度为1.5～10at％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及层叠结构及薄膜晶体管。

技术介绍

1、将非晶氧化物半导体用于沟道层的薄膜晶体管(tft)广为人知(参照专利文献1)，由于该tft迁移率较低而需要改善。

2、作为与将非晶氧化物半导体用于沟道层的tft相比可得到高迁移率的特性的tft，已知有将晶体氧化物半导体膜用于沟道层的tft(例如，参照专利文献2)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利第5118810号公报

6、专利文献2：国际公开第2013/035335号

技术实现思路

1、然而，在专利文献2的技术中，例如存在阈值电压(vth)与高温高湿环境等外部环境相应地发生变动的情况，有时在可靠性方面产生问题。

2、因此，在沟道层中使用晶体氧化物半导体膜的以往的tft中，在兼顾迁移率的提高和tft的可靠性的方面存在改善的余地。

3、本专利技术的目的在于提供一种在应用于tft时示出良好的迁移率、且可得到高可靠性的层叠结构。此外，提供具有该层叠结构的薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种层叠结构，其特征在于，具有：

2.如权利要求1所述的层叠结构，其特征在于，具有第二绝缘膜，所述第二绝缘膜与如下的面相接地层叠：所述晶体氧化物半导体膜的与所述第一绝缘膜接触的面的相反侧的面。

3.如权利要求1或2所述的层叠结构，其特征在于，所述第一绝缘膜是以硅(Si)为主成分的氧化物膜、以硅(Si)为主成分的氮化物膜或以硅(Si)为主成分的氮氧化物膜中的任一种。

4.如权利要求1～3的任一项所述的层叠结构，其特征在于，所述第一绝缘膜是以硅(Si)为主成分的氧化物膜。

5.如权利要求1～4的任一项所述的层叠结构，其特征在于，所述晶体氧化...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种层叠结构，其特征在于，具有：

2.如权利要求1所述的层叠结构，其特征在于，具有第二绝缘膜，所述第二绝缘膜与如下的面相接地层叠：所述晶体氧化物半导体膜的与所述第一绝缘膜接触的面的相反侧的面。

3.如权利要求1或2所述的层叠结构，其特征在于，所述第一绝缘膜是以硅(si)为主成分的氧化物膜、以硅(si)为主成分的氮化物膜或以硅(si)为主成分的氮氧化物膜中的任一种。

4.如权利要求1～3的任一项所述的层叠结构，其特征在于，所述第一绝缘膜是以硅(si)为主成分的氧化物膜。

5.如权利要求1～4的任一项所述的层叠结构，其特征在于，所述晶体氧化物半导体膜还包含ga。

6.如权利要求1～5的任一项所述的层叠结构，其特征在于，所述晶体氧化物半导体膜还包含从b、al、si、sc、zn、ge、y、zr、sn、sm及yb中选择的1种以上的添加元素。

7.如权利要求1～6的任一项所述的层叠结构，其特征在于，in相对于所述晶体氧化物半导体膜中包含的全部金属元素的原子比率([in]/([in]+[in以外的全部金属元素])×100)为62at％以上。

8.如权利要求5～7的任一项所述的层叠结构，其特征在于，ga相对于所述晶体氧化物半导体膜中包含的全部金属元素的原子比率([ga]/([ga]+[ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍间勇辉，川岛绘美，岩濑信博，山口幸士，三和宽之，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：