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一种层叠结构，具有以I n为主成分的晶体氧化物半导体膜(11)和与所述晶体氧化物半导体膜(11)相接地层叠的第一绝缘膜(12)，所述晶体氧化物半导体膜(11)的平均硅浓度为1.5～10at％。...
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