【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种改善硅片背面吸笔迹方法。
技术介绍
1、硅片作为半导体产业的基础材料，在现代电子技术中起着至关重要的作用。它广泛应用于半导体制造、集成电路、太阳能电池、led等众多领域。随着电子技术的不断发展，对硅片的质量要求也越来越高。在现有的硅片的生产加工及运输过程中，常使用poly膜作为保护层，贴付在产品背面。但是，当使用吸笔或其他工具接触产品表面时，往往会在poly膜背面留下印记，这些印记不仅影响产品的美观，且在经过特定工艺后，如外延工艺，这些印记会变得更为明显，从而引起客户的不满和投诉。
2、然而，专利技术人发现相关技术中至少存在如下技术问题：相关技术无法有效避免吸笔接触硅片带来的印记问题。
技术实现思路
1、本申请的一个目的是提供一种改善硅片背面吸笔迹方法，至少用以解决吸笔接触硅片带来的印记问题。
2、为实现上述目的，本申请的一些实施例提供了以下几个方面：
3、第一方面，本申请的一些实施例还提供了一种改善硅片背面吸笔迹方法，
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【技术保护点】
1.一种改善硅片背面吸笔迹方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抗笔迹渗透膜为聚乙烯膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述聚乙烯膜的厚度介于10μm至20μm之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固化处理包括：对已贴附所述抗笔迹渗透膜的所述硅片上安装真空压力阀。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述真空压力阀的压力范围为：60-70pa。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述真空压力阀可实时自动调整自身压力。>
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种改善硅片背面吸笔迹方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抗笔迹渗透膜为聚乙烯膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述聚乙烯膜的厚度介于10μm至20μm之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述固化处理包括：对已贴附所述抗笔迹渗透膜的所述硅片上安装真空压力阀。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述真空压力阀的压力...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪小霞，
申请(专利权)人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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