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本申请实施例涉及半导体制造技术领域，公开了一种改善硅片背面吸笔迹方法。所述方法包括：对硅片进行预处理；在所述预处理后的硅片背面贴附抗笔迹渗透膜；对已贴附所述抗笔迹渗透膜的所述硅片进行固化处理；基于所述固化处理后的硅片，进行二次处理。可以至少...
该专利属于上海中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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