光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端制造方法及图纸

本申请提供光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端，通过获取一层或多层待修正版图，提取对应的图形参数和锚点参数，并对每层有桥接风险的周期性图形中的图形元素进行预修正，以生成预修正版图。本申请有效避免桥接现象，确保晶圆图案的完整性及电路功能正常；同时提高OPC修正效率，优化光学邻近效应补偿，显著减少修正所需时间与资源，提升生产效率；此外，还扩大了工艺窗口，提升了修正精度和稳定性，降低了缺陷率；降低了工艺风险的同时，提高了最终产品的质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造领域，特别是涉及一种光学邻近预修正方法、装置、介质、程序产品及终端。

技术介绍

1、在半导体光刻制程过程中，由于紫外光的衍射效应，在将掩膜图案投影到晶圆上时，晶圆表面形成的图案经常会发生畸变，这种现象称为光学邻近效应（opticalproximity effect，ope）。光学邻近效应引起的晶圆表面图案畸变主要表现为线宽特征尺寸（critical dimension，cd）偏移、线条端部（end of line，eol）变短、图案缺失（missedpatterns）或桥接（bridging）、角部变圆（corner rounding）等特征。桥接（bridging）指的是在光刻过程中，由于相邻图案之间的光学相互作用，导致原本应该是分开的线条或图案在晶圆表面上出现连接或融合的现象。这种现象会影响电路的性能，导致短路等问题。

2、为了补偿光学邻近效应造成的缺陷，从而在晶圆表面上得到与原始设计图形相同的图案，采用了光学邻近修正（optical proximity correction，opc）技术。现有的opc修正方法主要针对e本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光学邻近预修正方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的光学邻近预修正方法，其特征在于，周期性图形的图形参数包括：周期性图形的线宽和间距。

3.根据权利要求1所述的光学邻近预修正方法，其特征在于，周期性图形的锚点参数包括：锚点线宽和锚点间距。

4.根据权利要求2或3所述的光学邻近预修正方法，其特征在于，基于所述图形参数和锚点参数，对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正的过程包括：根据所述图形参数和锚点参数，计算每个图形元素边缘上每个点的平移距离；根据计算所述平移距离，将对应图形元素沿预设方向进行平移，以...

【技术特征摘要】

1.一种光学邻近预修正方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的光学邻近预修正方法，其特征在于，周期性图形的图形参数包括：周期性图形的线宽和间距。

3.根据权利要求1所述的光学邻近预修正方法，其特征在于，周期性图形的锚点参数包括：锚点线宽和锚点间距。

4.根据权利要求2或3所述的光学邻近预修正方法，其特征在于，基于所述图形参数和锚点参数，对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正的过程包括：根据所述图形参数和锚点参数，计算每个图形元素边缘上每个点的平移距离；根据计算所述平移距离，将对应图形元素沿预设方向进行平移，以生成预修正版图。

5.根据权利要求4所述的光学邻近预修正方法，其特征在于，对每层的周期性图形中每个已识别为具有桥接风险的图形元素进行预修正包括如下计算过程：

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙鹏飞，吴志强，洪鼎易，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：