【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种基板被覆抗蚀剂组合物和制造抗蚀剂图案的方法。
技术介绍
1、近年来,lsi的高集成化的需求高涨,要求图案的精细化。为了对应这样的需求,使用短波长的krf准分子激光(248nm)、arf准分子激光(193nm)、极紫外线(euv;13nm)、x射线、电子束等的光刻工艺正在实用化。为了对应这样的抗蚀剂图案的精细化,对于在精细加工时作为抗蚀剂所使用的感光性树脂组合物也要求高分辨率。虽然通过以短波长的光进行曝光可形成更精细的图案,但要求高的尺寸精度。
2、在光刻工序中,通过将抗蚀剂进行曝光、显影,而形成抗蚀剂图案。已知在曝光时,入射至抗蚀剂的入射光与来自基板、空气界面的反射光会进行多重干涉而产生驻波的现象。驻波的产生会降低图案尺寸精度。为了减少驻波,已经进行了在抗蚀剂的上层和/或下层形成抗反射膜的尝试。下层抗反射膜,因为可减少来自基板的反射的影响,因此驻波的减少效果大。不过,若形成下层抗反射膜,则会需要其的除去工序,因此下层抗反射膜有时会因其后的加工工序而不合适,此外,从欲使制造工序更为简易的方面来看,有不形成下层
...【技术保护点】
1.一种基板被覆抗蚀剂组合物,其包含聚合物(A)和光酸产生剂(B),其中,
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,Bn+阳离子从由式(BC-1)所示的阳离子、式(BC-2)所示的阳离子,和式(BC-3)所示的阳离子组成的群组中选出:
3.根据权利要求1或2所述的组合物,其中,聚合物(A)中的重复单元(A-1)、(A-2)、(A-3)和(A-4)的重复单元数nA-1、nA-2、nA-3和nA-4满足:
4.根据权利要求1~3中至少任一项所述的组合物,其进一步包含溶剂(C):
5.根据权利要求1~4中至少任一项所述的组合物,
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板被覆抗蚀剂组合物,其包含聚合物(a)和光酸产生剂(b),其中,
2.根据权利要求1所述的组合物,其中,bn+阳离子从由式(bc-1)所示的阳离子、式(bc-2)所示的阳离子,和式(bc-3)所示的阳离子组成的群组中选出:
3.根据权利要求1或2所述的组合物,其中,聚合物(a)中的重复单元(a-1)、(a-2)、(a-3)和(a-4)的重复单元数na-1、na-2、na-3和na-4满足:
4.根据权利要求1~3中至少任一项所述的组合物,其进一步包含溶剂(c):
5.根据权利要求1~4中至少任一项所述的组合物,其进一步包含碱化合物(d):
6.根据权利要求1~5中至少任一项所述的组合物,其进一步包含表面活性剂(e):
7.根据权利要求1~6中至少任一项所述的组合物,其进一步包含增塑剂(f):
8.根据权利要求1~7中至少任一项所述的组合物,其进一步包含添加剂(h):
9.根据权利要求1~8中至少任一项所述的组合物,其进一步包含式(i-1)所示的磺酰氧基酰亚胺化合物(i):
10.根据权利要求1~8中至少任...
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