一种温度补偿型声表面波谐振器、滤波器及其制造方法技术

本申请提供一种温度补偿型声表面波谐振器、滤波器及其制造方法，所述谐振器包括衬底、叉指换能器、反射栅区、第一负载结构、第二负载结构和温度补偿层；叉指换能器包括多个长指电极；反射栅区包括多个反射栅；第一负载结构设置于长指电极沿厚度方向远离衬底的一侧，第一负载结构在衬底上的正投影与长指电极在衬底上的正投影至少部分交叠；第二负载结构设置于反射栅沿厚度方向远离衬底的一侧，第二负载结构在衬底上的正投影与反射栅在衬底上的正投影至少部分交叠。本申请通过设置第一负载结构和第二负载结构，能够增加长指电极和反射栅对衬底的作用力，改变声表面波的传播速度，进而抑制横向模式杂波，提高温度补偿型声表面波谐振器的Q值。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及滤波器，尤其涉及一种温度补偿型声表面波谐振器、滤波器及其制造方法。

技术介绍

1、声表面波（surface acoustic wave，saw）技术是一种利用压电材料的机械振动在表面传播的波来传输信号的技术。声表面波滤波器（saw filter）是利用声表面波的特性来过滤信号的器件，它具有体积小、重量轻、成本低、可靠性高、易于集成等优点，被广泛应用于移动通信、卫星通信和雷达系统等微波频段的电子设备中。滤波器设计领域是一个涉及电路设计、信号处理和材料科学的复杂领域。在微波频段，滤波器设计需要考虑许多因素，如插入损耗、带外抑制、可靠性、稳定性、制造工艺等。微电子制造
则涉及半导体制造工艺、元件组装和焊接等技术。

2、现有的声表面波滤波器通常采用的是周期性反射栅结构，这种结构可以在声表面波的传播过程中产生相位差，从而实现滤波功能。然而，这种结构存在一些问题，如插入损耗较大、带外抑制不够理想、可靠性稳定性较差等。

3、因此，亟需一种能够解决上述问题的声表面波谐振器和滤波器。

技术实现思路<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，沿所述第二方向（Y），所述第一长指电极（211）包括靠近所述第二长指电极（212）一侧的第一端部和远离所述第二长指电极（212）一侧的第二端部；

3.根据权利要求2所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器（2）还包括第一汇流条（22）和第二汇流条（23）；

4.根据权利要求1所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，所述反射栅区（3）还包括第三汇流条（32）和第四汇流条（33）；

5.根据权利要求1所述的温...

【技术特征摘要】

1.一种温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，沿所述第二方向（y），所述第一长指电极（211）包括靠近所述第二长指电极（212）一侧的第一端部和远离所述第二长指电极（212）一侧的第二端部；

3.根据权利要求2所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器（2）还包括第一汇流条（22）和第二汇流条（23）；

4.根据权利要求1所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，所述反射栅区（3）还包括第三汇流条（32）和第四汇流条（33）；

5.根据权利要求1所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构（4）沿所述厚度方向的尺寸为第一尺寸l，所述第一尺寸l的取值范围为：0.01λ≤l≤0.02λ，其中，λ为声表面波波长。

6.根据权利要求1所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，所述第二负载结构（5）沿所述第二方向（y）的尺寸为第二尺寸j，所述第二尺寸j的取值范围为：0.3λ≤j≤0.9λ。

7.根据权利要求6所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构（4）沿所述第二方向（y）的尺寸为第三尺寸m，所述第三尺寸m的取值范围为：0.3λ≤m≤0.7λ。

8.根据权利要求7所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特征在于，所述第二尺寸j与所述第三尺寸m满足以下关系式：m≤j≤1.2 m。

9.根据权利要求1所述的温度补偿型声表面波谐振器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：何鑫，高海婷，冯端，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：