【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及毫米波集成电路设计，尤其涉及一种毫米波低噪声放大器。
技术介绍
1、射频集成电路在不同的领域、不同的工作频率，对电路的性能要求以及技术难度存在较大差异。在实际中，为了满足性价比、工作频率等要求，出现了很多制造工艺，例如bjt、hemt、bimos、cmos等。尽管bjt拥有速度和精度优点，但是不适合大规模集成。htem则由于电子饱和速度高，工作频率可至亚毫米波，多用于高速、大功率等，和bjt一样，适合数字集成电路。在之前设计中，尽管cmos具有低成本优势，但是由于工艺限制，其截止频率低、噪声大，并不适合射频电路的设计。但是随着科技的进步，微电子工艺技术的提高，cmos晶体管的频率特性逐渐得到改善，极大激发了cmos在射频领域的使用。与gaas、bicmos等工艺相比，cmos工艺有着集成度高，成本最低、易于与数字电路集成等优势，为实现模块的产品化提供了更好的条件。
2、在射频电路设计中，低噪声放大器则是接收机的关键器件，其性能的好坏直接影响整个接收机的灵敏度，对于低噪声放大器而言，噪声系数、增益等是其重要指标。...
【技术保护点】
1.一种毫米波低噪声放大器，其特征在于，低噪声放大器包括：第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路，第一级放大电路的信号输出端与第二级放大电路的信号输入端相连，第二级放大电路的信号输出端与第三级放大电路的信号输入端相连；
2.根据权利要求1所述的一种毫米波低噪声放大器，其特征在于，第一输入匹配电容、第二输入匹配电容、第一输出匹配电容、第二输出匹配电容之一或者任意组合为传输线平板电容，第一级间电感、第二级间电感、第三级间电感、第四级间电感之一或者任意组合为传输线电感。
3.根据权利要求2所述的一种毫米波低噪声放大器，其特征在于，所述传输线平...
【技术特征摘要】
1.一种毫米波低噪声放大器，其特征在于，低噪声放大器包括：第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路，第一级放大电路的信号输出端与第二级放大电路的信号输入端相连，第二级放大电路的信号输出端与第三级放大电路的信号输入端相连；
2.根据权利要求1所述的一种毫米波低噪声放大器，其特征在于，第一输入匹配电容、第二输入匹配电容、第一输出匹配电容、第二输出匹配电容之一或者任意组合为传输线平板电容，第一级间电感、第二级间电感、第三级间电感、第四级间电感之一或者任意组合为传输线电感。
3.根据权利要求2所述的一种毫米波低噪声放大器，其特征在于，所述传输线平板电容的宽度为4.5um，长度为15um。
4.根据权利要求2所述的一种毫米波低噪声放大器，其特征在于，所述传输线平板电容采用金属层m4和...
【专利技术属性】
技术研发人员：申崇江，李兰，徐昊澜，王小港，
申请(专利权)人：苏州锐武微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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