晶圆处理装置及晶圆处理方法制造方法及图纸

本公开涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。晶圆处理装置包括气帘装置。气帘装置包括：设置于真空腔室的阀门侧的进气结构，设置于真空腔室的排气侧的排气结构，与排气结构相连通并沿排气结构的两侧分别延伸至阀门侧的第一管路和第二管路，与进气结构、排气结构、第一管路、第二管路分别连接的控制装置。控制装置被配置为：于真空腔室的阀门开启前控制进气结构在阀门的开合区域形成气流沿第一方向流动的第一气帘，并控制排气结构基于第一管路进行排气；于真空腔室的阀门关闭后控制进气结构关停第一气帘并在阀门的开合区域形成气流沿第二方向流动的第二气帘，以及控制排气结构基于第一管路和第二管路进行排气。本公开可以避免晶圆被氧化污染。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及存储，特别是涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。

技术介绍

1、半导体制造工艺中，晶圆需要在晶圆移送装置和真空腔室之间互相移送，并于真空腔室内执行常压高温热处理工艺等制程工艺。目前，常压高温热处理工艺等制程工艺对真空腔室内的氧浓度具有很高要求。一旦真空腔室内的氧浓度不达标，容易在晶圆表面形成氧化界面，导致产品性能变差。

2、然而，为了满足制程工艺对氧浓度的要求，通常需要在执行高温制程之前先通入大量的氮气以清除掉真空腔室内的氧气。但是，在开始执行制程配方之前，真空腔室内的加热灯已一直在提供热量。在晶圆移送装置和真空腔室进行晶圆移送的过程中，由外界带入的氧在采用氮气清除到符合要求之前，已经和晶圆表面接触反应，并会于晶圆表面形成氧化界面。

3、因此，如何有效避免晶圆在晶圆移送装置和真空腔室进行晶圆移送的过程中被氧化污染，也成为了目前亟待解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提供了一种晶圆处理装置及晶圆处理方法，能够有效避免晶圆在晶圆移送装置和真空腔室进行晶圆移送的过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：真空腔室，以及设置于所述真空腔室腔壁上的气帘装置；其中，所述气帘装置包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一气帘的气流流量大于所述第二气帘的气流流量。

3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一气帘的气流流量的取值范围包括：10L/min～100L/min。

4.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一气帘和所述第二气帘的形成气体为氮气或惰性气体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述进气结构包括：

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【技术特征摘要】

1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：真空腔室，以及设置于所述真空腔室腔壁上的气帘装置；其中，所述气帘装置包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一气帘的气流流量大于所述第二气帘的气流流量。

3.根据权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一气帘的气流流量的取值范围包括：10l/min～100l/min。

4.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一气帘和所述第二气帘的形成气体为氮气或惰性气体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述进气结构包括：

6.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述环形管路与所述第一进气口相连通的管路和所述环形管路与所述第二进气口相连通的管路相连通；其中，所述进气结构还包括：

7.根据权利要求5所述的晶圆处理装置，其特征在于，位于所述环形管路第一方向侧边上的所述第二进气口的数量或位于所述环形管路第二方向侧边上的所述第一进气口的数量均为多个，且多个所述进气口在对应侧边上呈蜂窝状排布。

【专利技术属性】
技术研发人员：左敏，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：