一种高温封装用Ni3Sn4/泡沫镍复合接头的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高温封装用Ni<subgt;3</subgt;Sn<subgt;4</subgt;/泡沫镍复合接头的制备方法。其特征是：将泡沫镍作为骨架，纯锡块作为填充材料，按一定比例制作成复合焊料片，通过焊接使其在IGBT等电子元器件与基板之间形成可靠连接，快速获得由原位生成的IMC与反应后剩余的泡沫镍复合而成的微焊点。本发明专利技术中生成的复合接头与传统Ni/Sn/Ni结构TLP微焊点相比缩短了其制备时间，并且具有更优异的高温抵抗性能，同时具有良好的导电性能，满足现如今市场需求，可广泛应用于第三代半导体功率器件封装。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及第三代半导体功率器件封装互连，尤其涉及一种高温封装用ni3sn4/泡沫镍复合接头的制备方法。

技术介绍

1、近年来，随着5g通信、大数据中心以及新能源汽车等新市场出现，第三代半导体功率器件的性能（尤其是耐高温性能）已无法完全满足需求。因此亟需研发具有自主知识产权的高性能半导体功率器件，这对推动物联网、信息产业以及智能产业的发展具有重要意义，而互连焊点的稳定性在第三代半导体器件封装中备受关注。为了适应芯片高温的服役环境以及遵循电子封装材料无铅化的发展趋势，开发高性能以及高熔点的互连焊点迫在眉睫，目前研究用于封装互连的方法主要有高温无铅钎料、纳米颗粒烧结以及瞬时液相连接技术（transient liquid phase，tlp）。高温无铅钎料中，主要有au基钎料、zn基钎料等体系，其中au基钎料加工成本高，zn基钎料加工温度较高易对芯片造成损害。纳米颗粒烧结虽然能够实现功率器件互连“低温连接，高温服役”的需求，但是其成本高以及制造工艺复杂，而且电迁移问题是该方法所需解决的核心问题。瞬时液相连接技术是通过冶金反应形成高熔点连接层，由于其加工温度的灵本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高温封装用Ni3Sn4/泡沫镍复合接头的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高温封装用Ni3Sn4/泡沫镍复合接头的制备方法，其特征在于，所述步骤（a）的具体步骤：

3.根据权利要求1所述的一种高温封装用Ni3Sn4/泡沫镍复合接头的制备方法，其特征在于，所述步骤（b）的具体步骤：

4.根据权利要求1所述的一种高温封装用Ni3Sn4/泡沫镍复合接头的制备方法，其特征在于，所述步骤（d）的具体步骤：

5.根据权利要求1所述的一种高温封装用Ni3Sn4/泡沫镍复合接头的制备方法，其特征在于，所述步骤（e）的...

【技术特征摘要】

1.一种高温封装用ni3sn4/泡沫镍复合接头的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高温封装用ni3sn4/泡沫镍复合接头的制备方法，其特征在于，所述步骤（a）的具体步骤：

3.根据权利要求1所述的一种高温封装用ni3sn4/泡沫镍复合接头的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘振，邓朝韩，王志辉，迟红梅，廉湘雨，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：