【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置。
技术介绍
1、源测量单元用于在许多领域进行精确测量,包括半导体产品的测试。源测量单元强制施加电压或电流,然后分别测量产生的电流或电压,这些装置通常会测量几皮安培的电流。这种低电流的测量容易受到不需要的电容和其他影响,例如电荷载体的介电吸收的不利影响。在生产环境如半导体制造厂中进行此类测量时,许多测量必须尽快进行,使用多个源测量单元、长测试电缆和继电器开关矩阵会加剧这些不利影响。
2、在半导体工厂进行批量测试的时候,需要同时测量多个器件,而且对速度有一定要求。目前解决上述问题最基本的架构参见图1所示,这种架构最大问题为如果dut为pa级甚至fa级别小电流器件,则要求smu和矩阵开关的测试和漏电水平都要达到fa级别,市面上这种设备非常昂贵。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,能够涉及非常小电流的测量,可以降低对源表和矩阵的要求,即通过此用于半
...【技术保护点】
1.一种用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,其特征在于,包括: SMU源测量单元、矩阵开关和Pre-AMP前置放大器,
2.如权利要求1所述的用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,其特征在于,所述Pre-AMP前置放大器的INPUT端接入所述SMU源测量单元的Force端,所述Pre-AMP前置放大器的SENSE端接入所述SMU源测量单元的sense端,所述Pre-AMP前置放大器的OUTPUT端接入所述DUT待测器件。
3.如权利要求1所述的用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,其特征在于,所述跨阻放大器U2的
...【技术特征摘要】
1.一种用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,其特征在于,包括: smu源测量单元、矩阵开关和pre-amp前置放大器,
2.如权利要求1所述的用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,其特征在于,所述pre-amp前置放大器的input端接入所述smu源测量单元的force端,所述pre-amp前置放大器的sense端接入所述smu源测量单元的sense端,所述pre-amp前置放大器的output端接入所述dut待测器件。
3.如权利要求1所述的用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,其特征在于,所述跨阻放大器u2的v-端分别与开关及与该开关连接的不同大小的目标电阻连接至所述跨阻放大器u2的输出端,以便通过切换电阻进行预设小电流测试。
4.如权利要求1所述的用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,其特征在于,当进行预设小电流测试时,控制开关k1断开,控制开关k2和开关k3闭合以通过切换不同的电阻档位来适应不同量级的电流测量,所述预设小电流为皮安级别电流或低至皮安级别以下至飞安级别的电流。
5.如权利要求1所述的用于半导体器件批量测试的源测量单元前置放大装置,其特征在于,当进行预设大电流测试时,控制开关k1闭合,...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵建颖,李淼,
申请(专利权)人:上海概伦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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