用于沉积过渡金属膜的方法、系统和设备技术方案

用于半导体处理的方法、系统和设备，包括在第一反应室中的衬底支撑件上支撑包括设置在衬底上的一个或多个氧化物层的衬底，使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触，在第二反应室中支撑衬底，以及在顶表面与受激物质接触之后，在顶表面上沉积过渡金属层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体处理领域，更具体地，涉及导电结构的沉积，例如金属栅电极，包括晶体管中栅叠层中的金属栅电极。

技术介绍

1、诸如互补金属氧化物半导体(cmos)器件的半导体器件的尺寸缩小已经导致集成电路的速度和密度的显著提高。然而，传统的器件缩放技术面临着未来技术节点的重大挑战。

2、由于在先进技术节点上处理的复杂性不断增加，在大规模缩小的半导体器件中一个长期存在的问题是产量的降低。成核延迟是降低产量的主要原因。因此，需要减少成核延迟的方法、系统、设备和材料。

技术实现思路

1、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在必要地标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。

2、本文公开了半导体处理方法、系统和设备的示例，用于在第一反应室中支撑包括设置在衬底上的一个或多个氧化物层的衬底，使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触，在第二反应室中支撑衬底，以及在顶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体处理方法，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体处理方法，还包括在衬底的表面上沉积所述一个或多个氧化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中，沉积过渡金属层包括将衬底暴露于一种或多种过渡金属层前体。

4.根据权利要求3所述的半导体处理方法，其中，所述过渡金属层是过渡金属氮化物。

5.根据权利要求4所述的半导体处理方法，其中，所述过渡金属氮化物是氮化钼(MoN)或氮化钨(WN)。

6.根据权利要求5所述的半导体处理方法，其中，所述一种或多种过渡金属层前体选自包括以下的组：双(叔丁基亚氨基)双(叔丁氧基)M...

【技术特征摘要】

1.一种半导体处理方法，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体处理方法，还包括在衬底的表面上沉积所述一个或多个氧化物层。

3.根据权利要求1所述的半导体处理方法，其中，沉积过渡金属层包括将衬底暴露于一种或多种过渡金属层前体。

4.根据权利要求3所述的半导体处理方法，其中，所述过渡金属层是过渡金属氮化物。

5.根据权利要求4所述的半导体处理方法，其中，所述过渡金属氮化物是氮化钼(mon)或氮化钨(wn)。

6.根据权利要求5所述的半导体处理方法，其中，所述一种或多种过渡金属层前体选自包括以下的组：双(叔丁基亚氨基)双(叔丁氧基)mo、双(叔丁基亚氨基)双(二甲基氨基)mo、双(叔丁基亚氨基)双(二甲基氨基)mo、六羰基钼、五氯化钼、mo(ntbu)2(stbu)2、mo(nme2)4、mo(net2)4、mo2(nme2)6、mo(tbun)2(nme2)2、mo(tbun)2(net2)2、mo(netme)4、mo(ntbu)2(stbu)2、mo(ntbu)2(ipr2amd)2、mo(thd)3、moo2(acac)、moo2(thd)2、moo2(ipr2amd)2、双(叔丁基亚氨基)-双(二甲基氨基)钨、双(叔丁基亚氨基)-双(叔丁基酰氨基)钨或其组合。

7.根据权利要求2所述的半导体处理方法，其中，在衬底的表面上沉积一个或多个氧化物层包括：

8.根据权利要求7所述的半导体处理方法，其中，所述第一金属氧化物不同于所述第二金属氧化物。

9.根据权利要求8所述的半导体处理方法，其中，所述第一金属氧化物直接沉积在所述衬底的表面上以形成第一金属氧化物层，并且所述第二金属氧化物直接沉积在第一金属氧化物层的顶表面上以形成第二金属氧化物层，其中第一金属氧化物层比第二金属氧化物层厚。

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【专利技术属性】
技术研发人员：V·S·N·R·查瓦，E·H·索洛夫，R·B·米利根，M·萨米伊，B·坎南，D·李，R·贾卡拉朱，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：