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用于半导体处理的方法、系统和设备，包括在第一反应室中的衬底支撑件上支撑包括设置在衬底上的一个或多个氧化物层的衬底，使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触，在第二反应室中支撑衬底，以及在顶表面与受激物质接触之后，在顶表面上沉积过渡金...该专利属于ASMIP私人控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASMIP私人控股有限公司授权不得商用。
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用于半导体处理的方法、系统和设备，包括在第一反应室中的衬底支撑件上支撑包括设置在衬底上的一个或多个氧化物层的衬底，使衬底的一个或多个氧化物层的顶表面与受激物质接触，在第二反应室中支撑衬底，以及在顶表面与受激物质接触之后，在顶表面上沉积过渡金...