晶体阵列定位方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶体阵列定位方法及装置，该方法包括：根据晶体阵列中各晶体产生的闪烁脉冲，获取所述各晶体的原始能谱，所述晶体外包裹的反射层已进行不同程度的漏光或吸光处理，使得所述晶体中发生γ光子沉积后产生的可见光光子产生不同程度的漏光或吸光；确定所述各晶体的原始能谱中能量峰的能谱位置，所述各晶体对应的能量峰的能谱位置不同，对所述各晶体的反射层进行漏光或吸光处理的程度不同；从预先确定的所述能量峰的能谱位置与所述晶体的编号之间的关联关系中，查找与所述各晶体对应的能谱位置关联的晶体的编号。本发明专利技术不需要外加光导，降低成本和复杂度，提升探测器的空间分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多对一耦合晶体阵列，尤其涉及一种晶体阵列定位方法及装置。

技术介绍

1、pet(positron emission computed tomography，正电子发射断层扫描技术)系统的空间分辨率直接受探测器的分辨率的限制。当前临床pet扫描仪为了保证γ光子的探测效率，普遍采用基于窄长lyso闪烁晶体阵列的探测器，并与硅光电倍增管(siliconphotomultiplier，sipm)等光电探测器阵列耦合。

2、从原理上来讲，探测器元件的物理尺寸通常在决定分辨率方面起主导作用，使用更小的探测器组件组成的探测器模块(也称为探测器像素化)能增加在空间域中采集的样本数量，从而实现更高的空间分辨率。但是更小的探测器组块，会意味着更复杂的闪烁晶体加工工艺，继续使用晶体与sipm的一对一耦合方式意味着对光电元器件的体积和性能都有着更高的要求。

3、现有技术中晶体与sipm的一对一耦合会产生严重的死区效应，在成像时造成严重的伪影问题，并且会极大地提高系统的制造成本。而目前的多对一耦合方式会造成后端读出电子电路的复杂程度和设计难度增本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体阵列定位方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体阵列定位方法，其特征在于，所述晶体的反射层的漏光区域存在开孔，或在所述漏光区域和所述晶体之间添加有吸光材料，使得所述晶体产生的可见光光子不能完全反射。

3.根据权利要求2所述的晶体阵列定位方法，其特征在于，对于不同晶体，所述漏光区域的位置、大小和数量中的至少一种不同。

4.根据权利要求1所述的晶体阵列定位方法，其特征在于，所述晶体的反射层的吸光区域替换为吸光材料或所述吸光区域对应的晶体处理成磨砂面，使得所述晶体吸光。

5.根据权利要求4所述的晶体阵列定位方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种晶体阵列定位方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体阵列定位方法，其特征在于，所述晶体的反射层的漏光区域存在开孔，或在所述漏光区域和所述晶体之间添加有吸光材料，使得所述晶体产生的可见光光子不能完全反射。

3.根据权利要求2所述的晶体阵列定位方法，其特征在于，对于不同晶体，所述漏光区域的位置、大小和数量中的至少一种不同。

4.根据权利要求1所述的晶体阵列定位方法，其特征在于，所述晶体的反射层的吸光区域替换为吸光材料或所述吸光区域对应的晶体处理成磨砂面，使得所述晶体吸光。

5.根据权利要求4所述的晶体阵列定位方法，其特征在于，对于不同晶体，所述吸光区域的位置、大小和数量中的至少一种不...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡超，周嘉雯，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：