【技术实现步骤摘要】
各种示例实施方式涉及半导体器件和/或制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、晶体管是执行电切换功能的半导体器件并用于各种集成电路(ic)器件(包括存储器、驱动ic、逻辑器件等中的一种或更多种)。为了提高ic器件的集成度，已经减小由ic器件中包括的晶体管所占据的空间，并且正在进行研究以在保持晶体管的性能的同时减小晶体管的尺寸。
2、氧化物半导体器件是透明半导体器件，其特征在于3.0ev或更大的宽带隙，并且已经研究多年。用于大面积显示驱动装置的氧化物半导体器件具有诸如低关断电流、高开/关比等电特性的特性。通过将具有上述特性的氧化物半导体器件应用于存储器或逻辑器件或者将氧化物半导体器件堆叠在si基器件上，可以提高集成度。
3、然而，由于氧化物半导体器件的按比例缩小而产生的短沟道效应可能使氧化物半导体器件的性能劣化。例如，随着沟道层的宽度、长度、厚度等中的一个或更多个减小，难以控制阈值电压(vth)，并且沟道层和源极/漏极之间的减小的接触面积可能使接触电阻增大。更具体地，当通过使用前体在由金属材料形成的源极/漏极上形成氧化...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氮化物层包括氧。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层的厚度和所述金属氮化物层的厚度中的至少一个小于所述氧化物半导体层的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述氧化物半导体层的厚度为10nm或更小。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述氧化物半导体层的长度小于1微米。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层的厚度为5nm或更小。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氮化物层包括氧。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层的厚度和所述金属氮化物层的厚度中的至少一个小于所述氧化物半导体层的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述氧化物半导体层的厚度为10nm或更小。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述氧化物半导体层的长度小于1微米。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层的厚度为5nm或更小。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层的厚度为0.5nm至3.5nm。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氮化物层的厚度为10nm或更小。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层的厚度为所述金属氮化物层的厚度的0.2倍至2倍。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层的厚度小于或等于所述第一电极的厚度的25％。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层包括与包括在与所述金属氧化物层接触的电极中的金属相同的金属，所述电极选自所述第一电极和所述第二电极。
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述金属氧化物层包括w、co、ni、fe、ti、mo、cr、zr、...
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