专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
三星电子株式会社
>
半导体器件制造技术
>技术资料下载
下载半导体器件的技术资料
文档序号:43859334
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体器件包括:氧化物半导体层;第一电极和第二电极,彼此间隔开地布置并分别与氧化物半导体层相邻;金属氧化物层,布置在第一电极和第二电极中的至少一个和氧化物半导体层之间;以及金属氮化物层,布置在金属氧化物层和氧化物半导体层之间。...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。