高电子迁移率晶体管及半导体装置制造方法及图纸

本高电子迁移率晶体管包括：沟道层，载流子流经该沟道层；一对主电极，分别连接至沟道层的一端和另一端；阻挡层，设置到沟道层并且诱导载流子；栅电极，设置到沟道层的中间部分，其中，阻挡层介于栅电极与沟道层之间；第一间隔层，设置在沟道层与阻挡层之间并且减少合金散射；以及第二间隔层，设置在第一间隔层与阻挡层之间与栅电极重叠的区域中并且捕获载流子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及高电子迁移率晶体管和半导体装置。本公开进一步涉及各自包括高电子迁移率晶体管的高频开关电路、功率放大器和无线通信终端。

技术介绍

1、专利文献1公开了高电子迁移率晶体管(hemt：高电子迁移率晶体管，在下文中，简称为“hemt”)。hemt包括氮化物半导体，具体为gan，作为iii-v族化合物半导体。gan hemt具有诸如高电压电阻、高耐热性、高饱和电子速度或高沟道电子浓度的特征。这种特征能够实现性能更高的更小的gan hemt，促进gan hemt应用于功率装置和高频装置的发展。

2、gan hemt包括：沟道层；间隔层，堆叠在沟道层上；以及阻挡层，堆叠在间隔层上。沟道层是载流子(电子)流经的载流路径。间隔层抑制合金散射。阻挡层将载流子诱导至沟道层与间隔层之间的介面。

3、在采用绝缘栅结构(在下文中，简称为“mis(金属绝缘半导体)类型”)的gan hemt中，栅电极设置在阻挡层上，其中，绝缘层(栅极绝缘膜)介于栅电极与阻挡层之间。采用mis型能够实现gan hemt的低损耗和高输出。

4、引用列表

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高电子迁移率晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二间隔层的带隙比所述第一间隔层的带隙和所述阻挡层的带隙窄且比所述沟道层的带隙宽。

3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二间隔层具有形成为相对于所述第一间隔层的能量势和所述阻挡层的能量势朝向费米能级侧弯曲的凹状的能量势。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述沟道层是氮化物半导体。

5.根据权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述沟道层是GaN。

6.根据权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中，所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种高电子迁移率晶体管，包括：

2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二间隔层的带隙比所述第一间隔层的带隙和所述阻挡层的带隙窄且比所述沟道层的带隙宽。

3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二间隔层具有形成为相对于所述第一间隔层的能量势和所述阻挡层的能量势朝向费米能级侧弯曲的凹状的能量势。

4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述沟道层是氮化物半导体。

5.根据权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述沟道层是gan。

6.根据权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述阻挡层是带隙比所述沟道层的带隙宽的氮化物半导体。

7.根据权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述阻挡层是alx3in[1-x3]n，其中，满足0＜x3＜1。

8.根据权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第一间隔层是带隙比所述沟道层的带隙宽的氮化物半导体。

9.根据权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第一间隔层是alx1iny1ga[1-x1-y1]n，其中，满足0＜x1＜1、0≤y1＜1以及0＜x1+y1＜1。

10.根据权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中，所述第二间隔层是带隙比所述第一间隔层的带隙和所述阻挡层的带隙窄且比所述沟道层的带隙...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤竜舞，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：