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本高电子迁移率晶体管包括：沟道层，载流子流经该沟道层；一对主电极，分别连接至沟道层的一端和另一端；阻挡层，设置到沟道层并且诱导载流子；栅电极，设置到沟道层的中间部分，其中，阻挡层介于栅电极与沟道层之间；第一间隔层，设置在沟道层与阻挡层之间并...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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