【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生长，特别是涉及一种高效晶体生长炉。
技术介绍
1、21世纪，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料得到迅猛发展，这些材料具有许多优点，如禁带宽度大、热导率高、导通阻抗小、电子饱和飘移速率高等。这些优点使这些材料在轨道交通、航空航天、家用电器以及新能源汽车等多个领域得到广泛应用。
2、目前，制备高品质单晶碳化硅的方法主要有物理气相输运法、液相法和高温化学气相沉积法三种。其中，物理气相输运法由于其制造成本低且设备结构简单，已成为当前工业应用中最主流的制备方法。
3、晶体生长炉是采用物理气相输运法制备碳化硅晶体的关键设备。目前，晶体生长炉内部通常只采用一个生长腔体。在生长晶体前，需要对生长腔体进行预热；晶体生长完成后，需要对生长腔体进行缓慢降温。上述两个阶段都需要耗费大量的时间，这严重制约了晶体生长炉的生产效率。
技术实现思路
1、本申请通过提供一种高效晶体生长炉，以解决现有技术中晶体生长炉生产效率低的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本技术采用了...
【技术保护点】
1.一种高效晶体生长炉，包括机架(9)以及位于机架(9)上方的晶体生长腔(1)，其特征在于，所述机架(9)包括一个能够上下升降的移动盘(12)，移动盘(12)上安装有转盘(11)，转盘(11)上并排安装有缓存腔(20)及上料腔(6)，缓存腔(20)与上料腔(6)均位于晶体生长腔(1)的下方并关于转盘(11)所旋转的轴线对称；当转盘(11)旋转至一定角度，缓存腔(20)或上料腔(6)能够与晶体生长腔(1)上下对齐；
2.根据权利要求1所述的一种高效晶体生长炉，其特征在于，升降机构包括固定在移动盘(12)一侧的丝母以及与丝母配合的丝杠(16)，丝杠(16)的两...
【技术特征摘要】
1.一种高效晶体生长炉，包括机架(9)以及位于机架(9)上方的晶体生长腔(1)，其特征在于，所述机架(9)包括一个能够上下升降的移动盘(12)，移动盘(12)上安装有转盘(11)，转盘(11)上并排安装有缓存腔(20)及上料腔(6)，缓存腔(20)与上料腔(6)均位于晶体生长腔(1)的下方并关于转盘(11)所旋转的轴线对称；当转盘(11)旋转至一定角度，缓存腔(20)或上料腔(6)能够与晶体生长腔(1)上下对齐；
2.根据权利要求1所述的一种高效晶体生长炉，其特征在于，升降机构包括固定在移动盘(12)一侧的丝母以及与丝母配合的丝杠(16)，丝杠(16)的两端分别与上层架体及下层架体连接，上层架体或下层架体上还安装有驱动电机(17)，驱动电机(17)的输出端经联轴器与丝杠(16)的一端连接。
3.根据权利要求2所述的一种高效晶体生长炉，其特征在于，晶体生长腔(1)的下端、上料腔(6)的上端及缓存腔(20)的上端均具有法兰，晶体生长腔(1)下端的法兰处固定有夹紧机构(4)。
4.根据权利要求3所述的一种高效晶体生长炉，其特征在于，机架(9)上设有一支撑架(8)，支撑架(8)的上端安装有定位机构(19)，定位机构(19)包括压盖(32)、弹簧(33)及球头(31)；其中，压盖(32)与支撑架(8)固定，弹簧(33)安装于压盖(32)内，球头(31)位于弹簧(33)的上方；相对应的，上料腔(6)...
【专利技术属性】
技术研发人员：许登基，宋建，朱智勇，袁祥瑞，刘丙洋，史建伟，杨振鲁，赵光利，韩政，张俊，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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