一种自对准多重图案化的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种自对准多重图案化的制备方法，该制备方法通过在衬底的一侧分别制备第一光刻胶层以及第二光刻胶层。第一光刻胶层的光敏性与第二光刻胶层的光敏性不同，对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光以及显影处理，以在第一光刻胶层和第二光刻胶层完成多重图案化的自对准。如此，在同一曝光工艺以及相同的显影条件处理后，由于第一光刻胶层和第二光刻胶层的光敏性差异，因此在第一光刻胶层和第二光刻胶层能够形成不同形状的图案，此外，由于第一光刻胶层和第二光刻胶层的曝光位置相同，因此，第一光刻胶层形成的图案的位置与第二光刻胶层形成的位置相同，实现多重图案化的自对准，工艺和步骤简单方便，能够提高生产良率和生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及纳米加工，尤其涉及一种自对准多重图案化的制备方法。

技术介绍

1、多重图案曝光(multiple patterning)是目前用于光刻技术中的缩小工艺特征尺寸、增加产品表面性能的常用方式，包括自对准双重图案和自对准四重图案技术。然而，现有技术中在自对准双重图案或者自对准四重图案的过程中，由于膜层材料不同，所需要的刻蚀配方和过程比较复杂，需要通过复杂的工艺，来形成自对准多重图案化图形，导致生产良率以及生产效率降低。

技术实现思路

1、本专利技术提供一种自对准多重图案化的制备方法，通过对光敏性不同的第一光刻胶层和第二光刻胶层在同一位置曝光以及相同的显影条件处理后，可以实现多重图案化的自对准，工艺和步骤简单方便，能够提高生产良率和生产效率。

2、第一方面，本专利技术提供了一种自对准多重图案化的制备方法，包括：

3、提供衬底；

4、在所述衬底的一侧分别制备第一光刻胶层以及第二光刻胶层，其中，所述第一光刻胶层的光敏性与所述第二光刻胶层的光敏性不同；

5本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种自对准多重图案化的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层位于所述第二光刻胶层靠近所述衬底的一侧，所述第一光刻胶层的光敏性大于所述第二光刻胶层的光敏性；

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光以及显影处理之后，还包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述采用磁控溅射或者电子束蒸发的方式进行镀膜之后，还包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底一侧分别制备第一光刻胶层以及第二光刻胶层之前，还...

【技术特征摘要】

1.一种自对准多重图案化的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层位于所述第二光刻胶层靠近所述衬底的一侧，所述第一光刻胶层的光敏性大于所述第二光刻胶层的光敏性；

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层进行曝光以及显影处理之后，还包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述采用磁控溅射或者电子束蒸发的方式进行镀膜之后，还包括：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底一侧分别制备第一光刻胶层以及第二光刻胶层之前，还包括：

6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢少雄，陈振浩，史瑞，李晓军，
申请(专利权)人：广纳四维广东光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：