预热环及半导体设备制造技术

本技术提供一种预热环及半导体设备。其中，所述预热环中的进气端部的环面宽度大于出气端部的环面宽度，以能够增加反应气体与所述进气端部的接触面积，从而提高对所述反应气体的加热活化效果，优化晶圆表面各区域的反应均匀性。以及，所述进气端部是呈疏密不同的波浪形结构，一方面可以进一步增加所述反应气体与所述进气端部的接触面积，提高对所述反应气体的加热活化效果，另一方面可以对所述反应气体进行匀流处理，确保所述反应气体均匀流动，有利于实现晶圆表面各区域的均匀性反应，有效缓解在晶圆上进行薄膜生长、刻蚀以及离子掺杂不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造，特别涉及一种预热环及半导体设备。

技术介绍

1、外延工艺(epitaxy，epi)是指在衬底上生长排列有序的单晶体层的工艺，用于提高器件性能。目前，随着半导体技术的发展，epi工艺中所使用的减压气相沉积设备(reduced pressure chemical vapor deposition，rpcvd)会对外延层进行硼离子以及磷离子掺杂，以增加电子与空穴浓度，提高载流子迁移速率，从而满足器件性能需求。

2、然而，随着离子掺杂的浓度的提高，设备中使用的前驱气体的流量也逐渐提高，则容易导致大量来不及活化的气体通入腔室，使得外延层中不同区域的离子浓度差异较大。如图1所示，在现有的小型腔室内使用窄预热环沉积硅锗外延层时，采用二次离子质谱仪(secondary ion mass spectrometry，sims)检测硼离子的浓度，可以明显看出位于边缘区域的离子浓度普遍高于位于中心区域的离子浓度，且最大离子浓度差在30％左右。以及，如图2所示，在现有的大型腔室内使用宽预热环沉积硅磷外延层时，采用sims检测磷离子的浓度，可以明显看本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种预热环，用于预热反应气体，其特征在于，包括：环形结构；

2.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，沿所述环形结构的环向，且在所述进气端部的中心区域朝向所述进气端部的边缘区域的方向上，所述进气端部的波浪形结构的密度递增；其中，所述进气端部的中心区域与所述反应气体的流动中心相对应。

3.根据权利要求2所述的预热环，其特征在于，所述进气端部的波浪形结构的疏密程度满足如下公式：

4.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述进气端部对应的环面和所述出气端部对应的环面满足如下公式：

5.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述环形结构...

【技术特征摘要】

1.一种预热环，用于预热反应气体，其特征在于，包括：环形结构；

2.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，沿所述环形结构的环向，且在所述进气端部的中心区域朝向所述进气端部的边缘区域的方向上，所述进气端部的波浪形结构的密度递增；其中，所述进气端部的中心区域与所述反应气体的流动中心相对应。

3.根据权利要求2所述的预热环，其特征在于，所述进气端部的波浪形结构的疏密程度满足如下公式：

4.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述进气端部对应的环面和所述出气端部对应的环面满足如下公式：

5.根据权利要求1所述的预热环，其特征在于，所述环形结构的环面相对所述环形结构的内环所在表面的夹角为锐角。

6.根据权利要求5所述的预热环，其特征在于，所述环形结构的环面相对所述环形结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹志雪，邢超，请求不公布姓名，王伟，焦圣杰，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：