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本技术提供一种预热环及半导体设备。其中，所述预热环中的进气端部的环面宽度大于出气端部的环面宽度，以能够增加反应气体与所述进气端部的接触面积，从而提高对所述反应气体的加热活化效果，优化晶圆表面各区域的反应均匀性。以及，所述进气端部是呈疏密不同...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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