对比度优化的抗污染型介质填充掩模版及其制备方法技术

本公开提供了一种对比度优化的抗污染型介质填充掩模版及其制备方法，该制备方法包括：S1，根据掩模条件进行仿真计算，得到优化的超透镜关键膜层参数；S2，根据优化的超透镜关键膜层参数，以不同折射率介质模拟填充掩模版的图形结构并进行模拟仿真，得到对比度曲线；S3，根据对比度曲线确定适应实际工作环境的对比度优化填充介质；S4，根据掩模条件制备掩模版的图形结构，并向图形结构中填充S3中确定的填充介质；S5，对S4所得的掩模版依次进行退火、平坦化处理，得到对比度优化的抗污染型介质填充掩模版。本公开通过在掩模版狭缝内填充介质材料，可以有效地提高掩模版的抗污染性能，同时也能提高光刻对比度，实现更高分辨率的微纳结构制备。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光刻，具体涉及一种对比度优化的抗污染型介质填充掩模版及其制备方法。

技术介绍

1、等离子体（surface plasmon，sp）光刻技术依托于超透镜实现，主要通过倏逝波（远离表面就迅速衰减的光波）进行成像，绕过了传统光学系统中受半个波长左右的成像分辨率衍射极限的限制，从而能够实现亚波长尺寸的等比图形成像。

2、sp光刻技术作为一种接近式曝光技术，它的工作距仅为纳米级别，在实际应用中容易受到污染物的沾污。这些微尺度污染物将对成像质量产生严重的负面影响，从而降低成像的对比度和清晰度。因此，为了保持高质量的光刻效果，需要在工艺流程中加入适当的抗污染措施，最大程度地减少污染物对等离子体光刻的影响，确保光刻过程的高效和精确。

3、此外，随着电路图案越来越精细，掩模版的周期和线宽尺寸逐渐减小，紫外光与掩模版材料的相互作用过程中散射和反射效应随之增加，导致集中通过掩模版狭缝的光通量减少，从而降低了曝光图案的对比度。同时，光波透过较窄狭缝时的干涉效应也变得显著，形成干涉条纹或其他不规则的曝光图案以及在晶圆上产生模糊的图案边缘等都会进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，所述S1中进行仿真计算的方法包括严格耦合波分析法、时域有限差分法、有限元法中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，所述S1中超透镜关键膜层参数至少包括金属透射层和光刻胶层的材料和厚度；

4.根据权利要求1所述的对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，所述S2中用于模拟仿真的不同折射率介质的折射率为1~10；

5....

【技术特征摘要】

1.一种对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，所述s1中进行仿真计算的方法包括严格耦合波分析法、时域有限差分法、有限元法中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，所述s1中超透镜关键膜层参数至少包括金属透射层和光刻胶层的材料和厚度；

4.根据权利要求1所述的对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，所述s2中用于模拟仿真的不同折射率介质的折射率为1~10；

5.根据权利要求1所述的对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，所述s3包括：

6.根据权利要求1所述的对比度优化的抗污染型介质填充掩模版的制备方法，其特征在于，所述s4中根据所述掩模条件制备掩模版的图形结构包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，汪正坤，高平，张涛，赵泽宇，岳伟生，赵博文，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：