【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施例涉及一种用于清洗衬底的设备和方法，该设备和方法能够通过在整个衬底上均匀地发射超声波而没有死区来提高衬底清洗性能。
技术介绍
1、一般来说，用于制造半导体器件的衬底通过一系列工艺(包括切片工艺、磨削工艺、研磨工艺、蚀刻工艺和抛光工艺)来生产。
2、在衬底制造工艺过程中，衬底的表面可能被细颗粒、金属污染物、有机污染物等污染。这些污染物降低了衬底的质量，并且还导致半导体器件的物理缺陷和特性恶化，最终降低了半导体器件的生产成品率。因此，执行使用去离子水或蚀刻溶液(诸如酸或碱溶液)的湿式清洗工艺，以去除附着在衬底的表面上的污染物。
3、湿式清洗工艺分为逐个清洗衬底的单晶片清洗工艺和一次性清洗所有衬底的批量清洗工艺。
4、批量式衬底清洗设备可以通过将多个衬底浸入填充有清洗溶液的清洗槽中一定时间并在清洗溶液中产生超声波来对衬底的表面进行清洗。
5、存在于衬底的表面上的污染物(诸如颗粒、有机物和金属污染物)可以使用合适的清洗溶液(诸如标准清洗-1(sc1)、标准清洗-2(sc2)或磷酸)通过化学反应
【技术保护点】
1.一种用于清洗衬底的设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一侧臂和所述第二侧臂包括：
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述中心臂被布置成竖直地横跨所述衬底的中心，并且所述中心臂相对于与所述衬底的中心重合的驱动点向上/向下移动或摆动。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述中心梳状件设置有至少三个或更多个中心梳状件，并且所述第一侧梳状件和所述第二侧梳状件中的每一个设置有至少两个侧梳状件。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述驱动单元被构造成使所述中心臂相对于所述衬底的中心在45°内摆动
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于清洗衬底的设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一侧臂和所述第二侧臂包括：
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述中心臂被布置成竖直地横跨所述衬底的中心，并且所述中心臂相对于与所述衬底的中心重合的驱动点向上/向下移动或摆动。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述中心梳状件设置有至少三个或更多个中心梳状件，并且所述第一侧梳状件和所述第二侧梳状件中的每一个设置有至少两个侧梳状件。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述驱动单元被构造成使所述中心臂相对于所述衬底的中心在45°内摆动。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述驱动单元被构造成使所述中心臂相对于所述衬底的中心向上/向下移动至少所述中心梳状件的直径或所述第一侧梳状件和所述第二侧梳状件的直径。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述驱动单元被构造成重复使所述中心臂向上移动并沿正向方向旋转以及使所述中心臂向下移动并沿反向方向旋转的过程，以使所述衬底旋转设定的角度。
8.根据权利要求6所述的设备，其中，当所述驱动单元使所述中心臂向上移动预定的间隙时，所述中心梳状件与所述衬底接触，所述第一侧梳状件和所述第二侧梳状件不与所述衬底接触。
9.根据权利要求6所述的设备，其中，当所述驱动单元使所述中心臂向下移动预定的间隙时，所述中心梳状件不与所述衬底接触，所述第一侧梳状件和所述第二侧梳状件与所述衬底接触。
10.一种用于清洗衬底的方法，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述第一操作中，所述中心臂被布置成竖直地横跨所述衬底的中心，所述中心梳状件保持在不...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔恩硕，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：
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