背照式图像传感器及其制备方法、电子设备技术

本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，涉及集成电路技术领域，包括：衬底以及位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向交替排布，且沿朝向衬底方向延伸的光电二极管、叠层隔离结构。其中，光电二极管包括沿背离衬底的方向依次层叠的隔离层、第一光敏层、第二光敏层及第三光敏层；第一光敏层内包括沿第一方向间隔排布的多个第一SiP层，多个第一SiP层沿第二方向贯穿第一光敏层并延伸至隔离层。第三光敏层内包括沿第一方向间隔排布的多个第二SiP层，多个第二SiP层沿第二方向贯穿第三光敏层并延伸至第二光敏层，能够增加光生载流子数目，提高器件量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备。

技术介绍

1、图像传感器作为一种被广泛应用于消费电子、安防监控、汽车电子、机器视觉等众多领域的光电转换器件。根据金属线路与光接收层的放置位置，将其分为前照式和背照式两种，其中，背照式（backside illuminated，bsi）图像传感器具有更高的灵敏度、更好的布线布局以及允许高速记录等优点，常应用于对图像传感器像素性能要求较高的领域。

2、然而，在进入深亚微米工艺的当今，传统的bsi前段制程中需要采用高能量离子植入（ion implantation，imp）制备二极管结构，以形成光敏区的方式，将可能导致衬底表面损伤。不均匀的离子注入还会导致不同像素之间的信号串扰，从而阻碍bsi图像传感器性能的进一步提升。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的技术问题，提供一种背照式图像传感器及其制备方法、电子设备，至少能够避免背照式图像传感器在制备光电二极管过程中因imp造成的不必要损伤。

<p>2、第一方面，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底的第一表面上且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排布，且沿朝向衬底的第二方向延伸的光电二极管、叠层隔离结构；

2.根据权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述多个第一SiP层的底面低于所述隔离层的顶面；及/或

3.根据权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述多个第一SiP层与所述多个第二SiP层一对一设置；

4.根据权利要求1-3任一项所述背照式图像传感器，其特征在于，所述叠层隔离结构包括沿背离所述衬底的方向依次层叠的第一隔离结构、第二隔离结构及第三隔离结构；

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【技术特征摘要】

1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底的第一表面上且沿平行于所述第一表面的第一方向交替排布，且沿朝向衬底的第二方向延伸的光电二极管、叠层隔离结构；

2.根据权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述多个第一sip层的底面低于所述隔离层的顶面；及/或

3.根据权利要求1所述背照式图像传感器，其特征在于，所述多个第一sip层与所述多个第二sip层一对一设置；

4.根据权利要求1-3任一项所述背照式图像传感器，其特征在于，所述叠层隔离结构包括沿背离所述衬底的方向依次层叠的第一隔离结构、第二隔离结构及第三隔离结构；

5.根据权利要求1-3任一项所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述衬底内包括经由所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：