【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件的制造技术，具体涉及一种存储器及其制备方法。
技术介绍
1、可变电阻式存储器（resistive random access memory，rram）是一种新型的非易失性存储器，通过对可变电阻式存储器中的金属氧化物薄膜施加脉冲电压，进而产生大的电阻差值来存储数字信号“0”和数字信号“1”以存储数据，可变电阻式存储器具有消耗电力低、重写速度高以及结构简单等优点。通常为金属-绝缘体-金属结构组成的三明治结构。
2、与闪存不同，rram并不依靠电荷来储存信息，因而不存在隧穿层过薄而泄露电子的问题，是将来最有希望的新型存储器之一。随着rram成为主流，我们将看到由大容量嵌入式内存支持的高智能化系统解决方案，以及可在联网设备间实现新型应用的高效率微控制器。rram是未来的发展趋势，也是将最终让备受推崇的物联网成为现实的力量之一。然而，将可变电阻式存储器嵌入到cmos的流程十分复杂，需要在单独制作可变电阻式存储器后之后，再制作cmos部分，进而使增加了制备成本和制备时间。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种存储器制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，形成所述第一通孔、所述第二通孔包括：
3.根据权利要求2所述的存储器制备方法，其特征在于，所述第二通孔内包括台阶；
4.根据权利要求3所述的存储器制备方法，其特征在于，形成所述阻变层及所述第二电极包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的存储器制备方法，其特征在于，于所述第一通孔内形成导电结构包括：
6.根据权利要求5所述的存储器制备方法，其特征在于，于所述第一通孔内形成导电结构的过程中，同步于所述第二通孔内形成导
【技术特征摘要】
1.一种存储器制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器制备方法，其特征在于，形成所述第一通孔、所述第二通孔包括：
3.根据权利要求2所述的存储器制备方法，其特征在于，所述第二通孔内包括台阶；
4.根据权利要求3所述的存储器制备方法，其特征在于，形成所述阻变层及所述第二电极包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的存储器制备方法，其特征在于，于所述第一通孔内形成导电结构包括：
6.根据权利要求5所述的存储器制备方法，其特征在于，于所述第一通孔内...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，赵朵朵，孟昭生，董信国，贾超超，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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