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本申请提供一种存储器及其制备方法，涉及半导体器件的制造技术，制备方法包括：提供衬底，衬底包括沿平行于衬底顶面的第一方向间隔排布的第一区域、第二区域；衬底顶面包括部分位于第一区域内及部分位于第二区域内的介质层；于介质层上形成层间介电层；基于同...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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