本发明专利技术涉及一种紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件，属于半导体技术领域。包括从下至上依次生长的衬底、AlN层、n型电子传输层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型空穴传输层和p型接触层；p型空穴传输层包括至少一组极性变化层和金属极性层，极性变化层包括极性渐变层和生长于极性渐变层上的极性反转层，金属极性层生长于最上面的极性变化层的极性反转层上，极性渐变层由下至上从金属极性逐渐转变为氮极性，极性反转层由下至上从氮极性转变为金属极性。本发明专利技术可以提高空穴载流子浓度和纵向迁移速率，减小p型空穴传输层电阻率，进而可以提高紫外发光器件的光电转换效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件。
技术介绍
1、紫外发光器件具有环保、节能、发光波长单一等优点，可以应用在杀菌消毒、生物检测等方面。
2、现有紫外发光器件的外延结构中，p型空穴传输层主要采用单一组分的p型algan薄层，这种结构的p型空穴传输层的空穴浓度较低，使得该层电阻率较高。为提高空穴浓度，目前有技术采用algan超晶格方法获得较高的面内载流子浓度和较高迁移速率，但是，超晶格的阱垒之间的势垒差使得空穴沿纵向(向量子阱方向)迁移速率较差，导致实际进入量子阱的空穴较少。除此之外，还有采用al组分由高到低渐变的palgan层作为p型空穴传输层，这种结构可以极化诱导出一定量的空穴载流子，并实现空穴载流子沿纵向传输，但该种方法由于aln和gan的极化强度差不够大，使得极化诱导出的空穴载流子有限。
3、综上，目前的紫外发光器件的外延结构存在空穴载流子浓度低、空穴载流子的纵向迁移速率低及p型空穴传输层电阻率高的问题，导致目前的紫外发光器件的光电转换效率偏低。
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【技术保护点】
1.一种紫外发光器件的外延结构，其特征在于，包括从下至上依次生长的衬底(1)、AlN层(2)、n型电子传输层(3)、多量子阱发光层(4)、电子阻挡层(5)、p型空穴传输层(6)和p型接触层(7)；
2.根据权利要求1所述的紫外发光器件的外延结构，其特征在于，一组极性变化层中，极性渐变层(6-1)的厚度为1-500nm，极性反转层(6-2)的厚度为0.1-10nm。
3.根据权利要求1所述的紫外发光器件的外延结构，其特征在于，所述n型电子传输层(3)的Si掺杂浓度为1×1018-1×1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的紫外发光器件的外延结构，其特...
【技术特征摘要】
1.一种紫外发光器件的外延结构，其特征在于，包括从下至上依次生长的衬底(1)、aln层(2)、n型电子传输层(3)、多量子阱发光层(4)、电子阻挡层(5)、p型空穴传输层(6)和p型接触层(7)；
2.根据权利要求1所述的紫外发光器件的外延结构，其特征在于，一组极性变化层中，极性渐变层(6-1)的厚度为1-500nm，极性反转层(6-2)的厚度为0.1-10nm。
3.根据权利要求1所述的紫外发光器件的外延结构，其特征在于，所述n型电子传输层(3)的si掺杂浓度为1×1018-1×1020cm-3。
4.根据权利要求1所述的紫外发光器件的外延结构，其特征在于，所述极性渐变层(6-1)中al组分含量保持不变，或者，从下至上al组分含量由高到低变化。
5.根据权利要求1所述的紫外发光器件的外延结构，其特征在于，所述极性渐变层(6-1)中，mg掺杂浓度从下至上由1×1020cm-3渐变至1×1021cm-3；金属极性层(6-3)中，mg掺杂浓度为1×1018-1×1020c...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭凯，李开心，徐广源，俄文文，李超，李晋闽，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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