【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
1、随着以mosfet器件为代表的半导体器件的迅速发展，现在半导体器件应用已经非常广泛。mosfet器件包括源区、漏区和体区，源区、漏区为同种掺杂类型，体区与源区、漏区为不同的掺杂类型，源区、漏区和体区构成寄生bjt，其中，体区为寄生bjt的基区。当半导体器件受到辐射，例如太空辐射时，寄生bjt中会形成大电流，影响半导体器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法，以提高半导体器件的性能。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；
4、在所述半导体衬底中形成体轻掺杂区；
5、在所述体轻掺杂区形成第一凹槽；所述第一凹槽复用为体接触孔；
6、在所述体轻掺杂区中未设置所述第一凹槽的上表面处形成源区，以及在所述第一凹槽的侧壁表面和底部表面形成体重掺杂区。
7、可选的，还包括：在所述源区的表面以及所述体重掺杂区的表面形成金属硅化物；所述体接触孔复用为源接触孔。
8、可选的，在所述半导体衬底中形成体轻掺杂区之后，以及在所述体轻掺杂区形成第一凹槽之前，还包括：
9、在所述体轻掺杂区形成过渡区；其中，所述过渡区的载流子浓度小于所述体重掺杂区的载流子浓度，且大于所述体轻掺杂区
10、在所述体轻掺杂区形成第一凹槽，包括：
11、在所述过渡区形成第一凹槽。
12、可选的，提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅，包括：
13、提供所述半导体衬底；其中，所述半导体衬底包括n型衬底或p型衬底；
14、在所述半导体衬底的上表面进行外延，形成外延层；
15、在所述外延层的上表面形成栅极沟槽、以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅。
16、可选的，在所述体轻掺杂区中未设置所述第一凹槽的上表面处形成源区，以及在所述第一凹槽的侧壁表面和底部表面形成体重掺杂区，包括：
17、在所述栅极沟槽远离所述体轻掺杂区的一侧形成漏区，在所述体轻掺杂区中未设置所述第一凹槽的上表面处形成源区，以及在所述第一凹槽的侧壁表面和底部表面形成体重掺杂区；
18、其中，沿所述栅极沟槽和所述体轻掺杂区的排列方向，所述体重掺杂区的宽度大于或等于所述漏区的宽度，所述漏区的宽度大于所述源区的宽度。
19、根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体器件，采用上述半导体器件的制备方法制得；
20、所述半导体器件包括：
21、半导体衬底；
22、栅极沟槽，以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；所述栅氧化层包裹所述多晶硅栅；
23、体区，与所述栅极沟槽沿水平方向相邻设置；其中，所述体区包括体重掺杂区和体轻掺杂区；所述体轻掺杂区的上方设置有所述体重掺杂区和源区；所述源区位于所述体重掺杂区和所述栅极沟槽之间；所述体重掺杂区包括第一凹槽；所述第一凹槽复用为体接触孔。
24、可选的，沿水平方向，所述第一凹槽的宽度小于所述体重掺杂区的宽度；沿竖直方向，所述第一凹槽的最大深度小于所述体重掺杂区的最大深度。
25、可选的，所述半导体衬底包括n型衬底或p型衬底；
26、所述半导体器件还包括位于所述半导体衬底上方的外延层；所述栅极沟槽以及所述体区均位于所述外延层的上表面。
27、可选的，所述半导体器件还包括：位于所述半导体衬底的漂移区；所述栅极沟槽和所述体区均位于所述漂移区；
28、所述漂移区还设置有漏区和浅槽隔离；所述漏区、所述浅槽隔离、所述栅极沟槽和所述体区沿水平方向，依次相邻设置；在所述浅槽隔离的上方还设置有场板栅。
29、可选的，所述半导体衬底还包括隔离层、埋层，以及连接所述埋层的深阱区；
30、所述隔离层位于所述漂移区的下方；所述埋层位于所述隔离层的下方；所述深阱区沿竖直方向延伸，且连接所述埋层；所述深阱区与所述漂移区不连接。
31、本专利技术的技术方案，通过在形成源区和体重掺杂区之前，在体轻掺杂区形成第一凹槽，并在第一凹槽的侧壁表面和底部表面形成体重掺杂区，如此，可在体重掺杂区中形成深孔接触窗，一方面，可增加体重掺杂区与体接触孔的接触面积，降低接触电阻，有利于降低寄生bjt的基极电阻，降低寄生bjt的栓锁效应；另一方面，在体区受辐射影响产生大量载流子时，大量载流子可通过体重掺杂区快速传输至体接触孔，避免大量载流子通过源区流出，致使寄生bjt导通，产生放大效应，导致寄生bjt大电流产生，损坏半导体器件，影响使用寿命。
32、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
6.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的半导体器件的制备方法制得；
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，沿水平方向，所述第一凹槽的宽度小于所述体重掺杂区的宽度；沿竖直方向，所述第一凹槽的最大深度小于所述体重掺杂区的最大深度。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底包括N型衬底或P型衬底；
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于所述半导体衬底的漂移区；所述栅极沟槽和所述体区均位于所述漂移区；
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅，包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，
6.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的半导体器件的制备方法制得；
【专利技术属性】
技术研发人员：沈忱，
申请(专利权)人：苏州珂晶达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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