一种半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，并在半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；在半导体衬底中形成体轻掺杂区；在体轻掺杂区形成第一凹槽；第一凹槽复用为体接触孔；在体轻掺杂区中未设置第一凹槽的上表面处形成源区，以及在第一凹槽的侧壁表面和底部表面形成体重掺杂区。采用上述技术方案，可以提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、随着以mosfet器件为代表的半导体器件的迅速发展，现在半导体器件应用已经非常广泛。mosfet器件包括源区、漏区和体区，源区、漏区为同种掺杂类型，体区与源区、漏区为不同的掺杂类型，源区、漏区和体区构成寄生bjt，其中，体区为寄生bjt的基区。当半导体器件受到辐射，例如太空辐射时，寄生bjt中会形成大电流，影响半导体器件的性能。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种半导体器件及其制备方法，以提高半导体器件的性能。

2、根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：

3、提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；

4、在所述半导体衬底中形成体轻掺杂区；

5、在所述体轻掺杂区形成第一凹槽；所述第一凹槽复用为体接触孔；

6、在所述体轻掺杂区中未设置所述第一凹槽的上表面处形成源区，以及在所述第一凹槽的侧壁表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅，包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

6.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的半导体器件的制备方法制得；

7.根据权利要求6所述的半导体...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于所述栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅，包括：

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

6.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的半导体器件的制备方法制得；

【专利技术属性】
技术研发人员：沈忱，
申请(专利权)人：苏州珂晶达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：