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本发明公开一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，并在半导体衬底上表面形成栅极沟槽、以及位于栅极沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；在半导体衬底中形成体轻掺杂区；在体轻掺杂区形成第一凹槽；第一凹槽复用为体接触孔；在体轻掺杂区中未设...
该专利属于苏州珂晶达电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州珂晶达电子有限公司授权不得商用。

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