温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种紫外发光器件的外延结构及其制备方法、紫外发光器件，属于半导体技术领域。包括从下至上依次生长的衬底、AlN层、n型电子传输层、多量子阱发光层、电子阻挡层、p型空穴传输层和p型接触层；p型空穴传输层包括至少一组极性变化层和金属极性...
该专利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西中科潞安紫外光电科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。