【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件领域,特别涉及一种氧化物膜层制备方法、发光二极管及其制作方法。
技术介绍
1、发光二极管是一种半导体发光器件,可以应用在显示、照明等显示领域中。
2、相关技术提供了一种发光二极管,该发光二极管包括:外延结构、介质层、银反射层和钝化层,其中钝化层主要由氧化物薄膜层叠而成。
3、在制作过程中,氧化物薄膜采用电子束蒸发方式制备,然而,相关技术的电子束蒸发方法容易造成氧化物薄膜凸起不平,影响氧化物薄膜质量,进而影响发光二极管出光效率。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种氧化物膜层制备方法、发光二极管及其制作方法,可以提高氧化物薄膜质量。所述技术方案如下:
2、一方面,提供了一种氧化物膜层制备方法,所述方法包括:
3、将基底放入电子束真空镀膜机中;
4、向所述电子束真空镀膜机中通入氧离子热气流;
5、使用电子束对蒸发源的氧化物原料进行蒸发,在所述基底上形成氧化物膜层。
6、可选地,向所述电子束
...【技术保护点】
1.一种氧化物膜层制备方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,向所述电子束真空镀膜机中通入氧离子热气流,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氧离子热气流的温度为100~400摄氏度,压强为1~2Pa。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氧离子热气流的流量为10~100sccm。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,将所述氧离子热气流通入所述电子束真空镀膜机中,包括:
6.一种发光二极管的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
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...【技术特征摘要】
1.一种氧化物膜层制备方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,向所述电子束真空镀膜机中通入氧离子热气流,包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氧离子热气流的温度为100~400摄氏度,压强为1~2pa。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述氧离子热气流的流量为10~100sccm。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,将所述氧离子热气流通入所述电子束真空镀膜机中,包...
【专利技术属性】
技术研发人员:张梦竹,王顺,楼高铭,周宇,卫婷,李文琦,
申请(专利权)人:京东方华灿光电浙江有限公司,
类型:发明
国别省市:
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