【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工设备,具体指一种具有镓回收装置的生长装置。
技术介绍
1、金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,mocvd)技术是现阶段进行化氮化镓(gan)外延生长的常见方法之一。在这个过程中,金属有机化合物,如ga(ch3)3(三甲基镓)与氮气(n2)以及氢气(h2)在高温下反应,以生长gan薄膜。然而,这个反应过程不仅会产生目标材料氮化镓,还会产生其他副产物,比如:氯化铵(nh4cl)、过量的镓氯化物(gacl3和gacl)以及未反应完全的金属镓(ga)。
2、这些副产物和未反应的金属镓在生长腔室中残留,容易形成团聚体。在后续的废气处理和回收阶段,这些团聚体可能会堵塞废气回收系统中的过滤网孔,导致系统效率下降甚至故障。此外,由于镓是一种成本较高的材料,因此难以回收利用的镓往往会造成的资源浪费。
3、目前,虽然有一些废气处理技术,如洗涤塔、吸附剂使用等,但这些方法往往不能较好地解决团聚体和镓的回收问题。因此现阶段迫切需要开发新的技术来实现镓的
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1.一种具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:包括:
2.根据权利要求1所述的具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:所述固定棒沿所述生长区域至所述回收区域的方向延伸;至少一个所述翅片垂直连接于所述固定棒,或者,所述翅片沿所述反应气体流动方向倾斜设置;
3.根据权利要求1所述的具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:所述翅片包括相互连接的横向片及纵向片,所述纵向片垂直连接于所述固定棒,所述横向片垂直连接于所述纵向片,且平行于所述固定棒设置。
4.根据权利要求1所述的具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:所述非气态镓包括液态镓,所述镓回收
...【技术特征摘要】
1.一种具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:包括:
2.根据权利要求1所述的具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:所述固定棒沿所述生长区域至所述回收区域的方向延伸;至少一个所述翅片垂直连接于所述固定棒,或者,所述翅片沿所述反应气体流动方向倾斜设置;
3.根据权利要求1所述的具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:所述翅片包括相互连接的横向片及纵向片,所述纵向片垂直连接于所述固定棒,所述横向片垂直连接于所述纵向片,且平行于所述固定棒设置。
4.根据权利要求1所述的具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:所述非气态镓包括液态镓,所述镓回收装置还包括温控机构,所述温控机构包括控制器、加热器以及温度传感器,所述控制器与所述温度传感器以及所述加热器连接,所述加热器与所述固定棒靠近所述生长区域的一端临近设置,所述温度传感器与所述导热反应件临近设置;
5.根据权利要求1所述的具有镓回收装置的生长装置,其特征在于:所述固定棒一端穿出所述生长腔室,且连接于外部固...
【专利技术属性】
技术研发人员:周靖焱,蒋承鑫,徐琳,
申请(专利权)人:苏州纳维科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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