【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种三维存储器及其制作方法以及一种存储器系统。
技术介绍
1、三维存储器通常可包括堆叠的互相绝缘的栅极层，以及贯穿栅极层的沟道柱，沿着沟道柱的径向，沟道柱包括阻挡层、存储层(电荷俘获层)、隧穿层以及沟道层。在存储器进行编程时，沟道层中的电子在栅极层电压的作用下穿过隧穿层注入到存储层中，存储层中的陷阱俘获电子实现信息的存储。
2、为了提高三维存储器的存储密度，可以增加栅极层的堆叠数量，也可将沟道柱的径向尺寸做小，提高单位晶圆面积上的存储单元数量，从而提高存储密度。但是，不管是栅极层堆叠数增加以及沟道柱尺寸做小，沟道柱的膜层形貌难以控制，降低器件的各项性能，降低三维存储器的稳定性。如何提高三维存储器的稳定性成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种三维存储器，包括：
2、堆叠结构，包括交替堆叠的栅极层和第一介电层；
3、沟道柱，沿第一方向贯穿所述堆叠结构；沿着垂直于所述第一方向的第二方向，所述...
【技术保护点】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一介电层沿所述第二方向至少贯穿所述阻挡层和所述存储层，所述存储层被所述第一介电层划分为多个所述存储子层。
3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，在所述第一方向上，所述存储层包括位于相邻两个所述存储子层之间的第二介电层；在所述第二方向上，所述阻挡层位于所述第一介电层和所述第二介电层之间。
4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第一介电层沿所述第二方向至少贯穿部分厚度的所述阻挡层。
5.根据权利要求4所述的三...
【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一介电层沿所述第二方向至少贯穿所述阻挡层和所述存储层，所述存储层被所述第一介电层划分为多个所述存储子层。
3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，在所述第一方向上，所述存储层包括位于相邻两个所述存储子层之间的第二介电层；在所述第二方向上，所述阻挡层位于所述第一介电层和所述第二介电层之间。
4.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述第一介电层沿所述第二方向至少贯穿部分厚度的所述阻挡层。
5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述阻挡层包括第一阻挡子层和第二阻挡子层，所述第二阻挡子层位于所述第一阻挡子层和所述第二介电层之间；其中，所述第一阻挡子层的介电常数大于所述第二阻挡子层的介电常数；所述第一介电层沿所述第二方向至少贯穿部分厚度的所述第一阻挡子层。
6.根据权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二介电层位于两个所述栅极层之间。
7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，在所述第一方向上，所述存储子层的尺寸大于或等于所述栅极层的尺寸。
8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极层在所述第二方向上的正投影落在所述存储子层在所述第二方向上的正投影之内。
9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：
10.根据权利要求1所述的三维存储器，...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁伟，高庭庭，杜小龙，孙昌志，刘文静，刘小欣，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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