【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明涉及电子器件的顶部互连及其制造方法。
技术介绍
1、电力电子器件的互连技术一般包括所谓的“顶部互连”，该顶部互连的功能是将半导体器件与金属引线框架电连接。
2、用于顶部互连的现有互连技术可以包括铝基互连，如图1的实施例中所示，可以包括：
3、o铝(al)或其合金(含少于5％的cu和/或5％的si)的金属化层，其厚度通常在2至10μm之间。该层一般由半导体芯片制造商与芯片一起交付，并沉积在半导体芯片上表面上的区域上。在硅芯片的某些区域上选择性沉积金属层的现有技术是基于减法转移或加法转移的光刻工艺：
4、o在减法转移工艺中：
5、·首先，使用沉积方法(通常是物理气相沉积法，如溅射或蒸发)沉积厚度均匀的连续金属膜。
6、·然后，在不需要金属层之外的地方，在金属表面上沉积抗蚀层。
7、这通常采用光刻工艺来完成。
8、·最后，使用湿法蚀刻去除暴露的金属表面，并去除抗蚀层。
9、o在加法转移工艺中：
10、·首先在不需要金属层的表面上选...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片，所述半导体芯片具有铝层，其中，所述铝层具有接收附加沉积的至少部分表面的结构体，并且其中，所述结构体在所述部分表面上形成峰，占据所述部分表面的20％至80％。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述铝层是平均厚度T在2μm至15μm之间的金属化层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中，所述铝层具有平均厚度T，所述结构体具有长度L，所述长度L度量所述结构体的第一相邻峰之间的平均距离，并且与所述平均厚度T的关系为L<10*T。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体芯片，其中，所述铝层具有平...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体芯片，所述半导体芯片具有铝层，其中，所述铝层具有接收附加沉积的至少部分表面的结构体，并且其中，所述结构体在所述部分表面上形成峰，占据所述部分表面的20％至80％。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中，所述铝层是平均厚度t在2μm至15μm之间的金属化层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中，所述铝层具有平均厚度t，所述结构体具有长度l，所述长度l度量所述结构体的第一相邻峰之间的平均距离，并且与所述平均厚度t的关系为l<10*t。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体芯片，其中，所述铝层具有平均厚度t，所述结构体具有深度d，所述深度d度量所述峰的平均深度d，并且与所述平均厚度t的关系为d＞0.2*t。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体芯片，其中，所述峰在所述结构体的至少一个轮廓剖面中形成周期性正弦形状。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体芯片，其中，所述峰的顶部具有隆起。
7.根据权利要求1至6...
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