一种用于Micro-LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明专利技术可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成器件及其制法，具体为一种用于micro-led显示的混合驱动集成器件及其制备方法。

技术介绍

1、随着显示技术的发展，micro-led凭借其高亮度、高对比度、小尺寸、低功耗、长寿命等独特优势，已成为继lcd和oled后最具潜力的下一代显示技术。在显示应用中，为实现大面积、高分辨的动态显示，常采用有源驱动的方式对单个显示像素进行控制。然而由于micro-led需在特定衬底上高温生长，因此micro-led像素与显示驱动电路为分立器件，需通过金属键合实现micro-led像素与驱动电路的集成。常用于制备显示驱动的晶体管主要包括非晶硅晶体管、氧化物薄膜晶体管、ltps等，然而，由于材料迁移率有限，在显示电路中的micro-led像素驱动管往往需要占用较大的面积，以实现micro-led的高亮度发光，这在超高分辨的micro-led显示应用中是难以容忍的。采用cmos电路作为micro-led的显示驱动是目前产业界提出的减小驱动电路面积，进而提高micro-led显示分辨率的方法之一，已经成为了虚拟现实、增强现实等新型显示应用的驱动方案，然而c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于Micro-LED显示的混合驱动集成器件，其特征在于：包括单片集成结构（1）和nT1C显示驱动电路（2），所述nT1C显示驱动电路（2）通过键合金属（3）与单片集成结构（1）相连；所述单片集成结构（1）依次包括GaN缓冲层（11）、AlGaN势垒层（12），所述AlGaN势垒层（12）远离GaN缓冲层（11）的表面间隔设置p-GaN帽层（13）和n-GaN欧姆接触电极（14），所述p-GaN帽层（13）远离AlGaN势垒层（12）的表面设置隧道结（15），所述隧道结（15）的表面设置n-GaN电子注入层（16）和n-GaN欧姆接触电极（14），至少一个n-GaN欧姆接触电极（...

【技术特征摘要】

1.一种用于micro-led显示的混合驱动集成器件，其特征在于：包括单片集成结构（1）和nt1c显示驱动电路（2），所述nt1c显示驱动电路（2）通过键合金属（3）与单片集成结构（1）相连；所述单片集成结构（1）依次包括gan缓冲层（11）、algan势垒层（12），所述algan势垒层（12）远离gan缓冲层（11）的表面间隔设置p-gan帽层（13）和n-gan欧姆接触电极（14），所述p-gan帽层（13）远离algan势垒层（12）的表面设置隧道结（15），所述隧道结（15）的表面设置n-gan电子注入层（16）和n-gan欧姆接触电极（14），至少一个n-gan欧姆接触电极（14）延伸至p-gan帽层（13）、隧道结（15）侧面并与algan势垒层（12）相连，所述n-gan电子注入层（16）表面依次设置量子阱层（17）、p-gan空穴注入层（18）、p-gan欧姆接触电极（19）；所述隧道结（15）依次包括p+-gan隧穿层（151）、ingan辅助隧穿层（152）、n+-gan隧穿层（153）和n-gan扩展层（154），所述p+-gan隧穿层（151）与p-gan帽层（13）相连。

2.一种用于micro-led显示的混合驱动集成器件，其特征在于：包括单片集成结构（1）和nt1c显示驱动电路（2），所述nt1c显示驱动电路（2）通过键合金属（3）与单片集成结构（1）相连；所述单片集成结构（1）包括n-gan电子注入层（16），所述n-gan电子注入层（16）的表面间隔设置量子阱层（17）、n-gan欧姆接触电极（14），所述量子阱层（17）表面依次设置p-gan空穴注入层（18）、隧道结（15）、gan缓冲层（11）、algan势垒层（12），所述algan势垒层（12）的表面设置n-gan欧姆接触电极（14）、p-gan帽...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄喆，桑艺萌，陶涛，刘斌，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：