本公开涉及半导体装置。示例的半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一桥接图案，在第一区域上在第一方向上延伸；第一栅极结构，在与第一方向相交的第二方向上延伸；第一外延图案，在第一栅极结构的侧表面上连接到第一桥接图案；第一内间隔件，置于基底与第一桥接图案之间和第一栅极结构与第一外延图案之间；第二桥接图案，在第二区域上在第一方向上延伸；第二栅极结构，在第二方向上延伸；第二外延图案，在第二栅极结构的侧表面上连接到第二桥接图案；以及第二内间隔件，置于基底与第二桥接图案之间和第二栅极结构与第二外延图案之间。
【技术实现步骤摘要】
公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、作为用于增大集成电路装置的密度的缩放技术，已经提出了多栅极晶体管的概念，在多栅极晶体管中，硅体以鳍或纳米线的形式形成在基底上并且栅极形成在硅体的表面上。多栅极晶体管以其三维(3d)沟道的优势，允许容易地向上和向下进行缩放。另外，多栅极晶体管在不需要增加栅极长度的情况下，提供了对电流的改善控制。此外，多栅极晶体管有效地减轻了短沟道效应(sce)，sce是沟道区域的电位受漏极电压影响的现象。
技术实现思路
1、本公开涉及包括具有改善性能的半导体装置以及制造具有改善性能的半导体装置的方法。
2、然而，本公开的多方面不限于本文阐述的那些方面。通过参照下面给出的本公开的具体描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
3、在一些实施方式中，一种半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一桥接图案，在所述第一区域上，所述第一桥接图案在第一方向上延伸并与所述基底间隔开，并且所述第一桥接图案具有第一宽度；第一栅极结构，在第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件在所述第一方向上的第一厚度大于所述第二内间隔件在所述第一方向上的第二厚度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件的与所述第一栅极结构相对的内侧表面包括凹表面，并且
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件在所述第一方向上的第一厚度小于所述第二内间隔件在所述第一方向上的第二厚度。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件的与所述第一栅极结构相对的内侧表面包括凸表面，并且
>6.根据权利要求1...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件在所述第一方向上的第一厚度大于所述第二内间隔件在所述第一方向上的第二厚度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件的与所述第一栅极结构相对的内侧表面包括凹表面，并且
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件在所述第一方向上的第一厚度小于所述第二内间隔件在所述第一方向上的第二厚度。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件的与所述第一栅极结构相对的内侧表面包括凸表面，并且
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件的与所述第一外延图案相对的外侧表面包括凹表面，并且
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一外延图案与所述第一内间隔件接触，并且
8.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件置于所述第一桥接图案与所述第三桥接图案之间，并且
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一宽度为5nm至20nm，并且
12.一种半导体装置，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴范璡，姜明吉，金洞院，卢昶佑，全宥振，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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