一种三维互连传输线及制备方法技术

本申请公开了一种三维互连传输线及制备方法，属于通信技术领域。本发明专利技术所提供的三维互连传输线包括依次层叠设置的多个晶圆，还包括同轴TSV结构和微同轴结构。相邻的两个晶圆密闭连接，且相邻的两个晶圆之间形成腔室，在相邻的两个晶圆中，至少一个晶圆上开设有贯穿该晶圆且连通于腔室的通孔。微同轴结构设置在腔室内，同轴TSV结构设置在通孔内，并与通孔的内壁密闭连接，微同轴结构的微同轴内导体连接于同轴TSV结构的TSV内导体。同轴TSV结构位于通孔内并与通孔的内壁密闭连接，微同轴结构位于腔室内，仅有同轴TSV结构远离微同轴结构一端的对外连接端口显露于晶圆外，用于与三维互连传输线外的其他结构电连接，三维互连传输线的气密性良好。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于通信的，尤其涉及一种三维互连传输线及制备方法。

技术介绍

1、随着人工智能、大数据、数据中心等的快速发展，数据处理量大幅度增加，数据信号也以更高的速率在板间器件之间传输，为实现数据在板间器件实时共享与协同处理，需要板间互连传输线具有大带宽、低损耗、无色散特性，并能与高速背板工艺兼容。

2、现有传输线容易受到外界干扰，表现在传输线容易发生氧化、易受外界异物破环、在潮湿环境容易短路。

技术实现思路

1、本申请旨在至少能够在一定程度上解决传输线容易受到外界干扰的技术问题。为此，本申请提供了一种三维互连传输线及制备方法。

2、第一方面，本申请实施例提供一种三维互连传输线，包括：

3、依次层叠设置的多个晶圆，相邻的两个所述晶圆密闭连接，且相邻的两个所述晶圆之间形成封闭的腔室，在相邻的两个所述晶圆中，至少一个所述晶圆上开设有贯穿该晶圆且连通于所述腔室的通孔；

4、同轴tsv结构和微同轴结构，所述微同轴结构设置在所述腔室内，所述同轴tsv结构设置在所述通孔内，并与所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维互连传输线，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三维互连传输线，其特征在于，在相邻的两个所述晶圆(110)中，其中一个所述晶圆(110)上开设有第一凹槽，另一个晶圆(110)上开设有第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽相对设置，合围形成所述腔室(100a)。

3.根据权利要求1所述的三维互连传输线，其特征在于，所述同轴TSV结构(120)还包括TSV绝缘层(122)和TSV屏蔽层(123)，所述TSV绝缘层(122)套设于TSV内导体(121)外，所述TSV屏蔽层(123)套设于所述TSV绝缘层(122)外，并位于所述通孔(110b)的内壁与所...

【技术特征摘要】

1.一种三维互连传输线，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的三维互连传输线，其特征在于，在相邻的两个所述晶圆(110)中，其中一个所述晶圆(110)上开设有第一凹槽，另一个晶圆(110)上开设有第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽相对设置，合围形成所述腔室(100a)。

3.根据权利要求1所述的三维互连传输线，其特征在于，所述同轴tsv结构(120)还包括tsv绝缘层(122)和tsv屏蔽层(123)，所述tsv绝缘层(122)套设于tsv内导体(121)外，所述tsv屏蔽层(123)套设于所述tsv绝缘层(122)外，并位于所述通孔(110b)的内壁与所述tsv绝缘层(122)之间。

4.根据权利要求3所述的三维互连传输线，其特征在于，所述tsv绝缘层(122)的部分突出于所述晶圆(110)的表面，并位于所述腔室(100a)内；所述微同轴内导体(131)位于所述tsv绝缘层(122)上，以使得所述微同轴内导体(131)与所述晶圆(110)间隔设置。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的三维互连传输线，其特征在于，在相邻的两个所述晶圆(110)中，两个所述晶圆(110)上均开设有所述通孔(110b)，且两个所述晶圆(110)上的至少部分所述通孔(110b)呈相对设置，以使得位于相...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏辉，王荣栋，陆原，王侠，
申请(专利权)人：北京赛微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：