一种三维探测器及其制备方法技术

本申请公开了一种三维探测器及其制备方法，涉及半导体器件领域，制备方法包括：提供半导体衬底，包括半导体基底以及位于半导体基底一侧表面上的半导体器件层；在半导体器件层内形成中央电极以及围绕中央电极的沟槽电极，中央电极与沟槽电极的掺杂类型不同；在半导体器件层的表面上形成金属互联层，金属互联层包括第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极与中央电极连接，第二金属电极与沟槽电极连接；沟槽电极朝向半导体基底的底部位于同一封闭的等势电场平面，中央电极在半导体器件层中的深度不超过等势电场平面；等势电场平面是半导体器件层朝向半导体基底的底面。本申请可以提升三维探测器的稳定性和可靠性，可以提升三维探测器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，更具体的说，涉及一种三维探测器及其制备方法。

技术介绍

1、三维探测器由于其独特的设计和探测器能力，被广泛的应用于高精度和高分辨率的应用场景，如激光雷达探测器、医疗诊断、大科学探测装置、航空航天等强辐照领域。

2、目前，常规三维探测器的抗辐照性能和电荷收集效率仍然有待进一步提升。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供了一种三维探测器及其制备方法，方案如下：

2、本申请第一方面提供一种三维探测器的制备方法，制备方法包括：

3、提供半导体衬底，半导体衬底包括半导体基底以及位于半导体基底一侧表面上的半导体器件层；

4、在半导体器件层内形成中央电极以及围绕中央电极的沟槽电极，中央电极与沟槽电极的掺杂类型不同；

5、在半导体器件层的表面上形成金属互联层，金属互联层包括第一金属电极和第二金属电极，第一金属电极与中央电极连接，第二金属电极与沟槽电极连接；

6、其中，沟槽电极朝向半导体基底的底部位于同一封闭的等势电场平面，中央电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三维探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为绝缘体上硅，所述半导体器件层为所述绝缘体上硅的顶硅层，所述半导体基底为所述绝缘体上硅的底硅层，所述顶硅层与所述底硅层之间具有绝缘埋层；

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽电极与所述中央电极的底部均延伸并停止到所述交界面；

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体器件层为所述半导体基底表面上的半导体外延层；所述半导体外延层的掺杂浓度小于所述半导体基底的掺杂浓度；

5.根据权利要求4所述...

【技术特征摘要】

1.一种三维探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底为绝缘体上硅，所述半导体器件层为所述绝缘体上硅的顶硅层，所述半导体基底为所述绝缘体上硅的底硅层，所述顶硅层与所述底硅层之间具有绝缘埋层；

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽电极与所述中央电极的底部均延伸并停止到所述交界面；

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体器件层为所述半导体基底表面上的半导体外延层；所述半导体外延层的掺杂浓度小于所述半导体基底的掺杂浓度；

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽电极的底部延伸至所述交界面；

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述半导体器件层内形成中央电极以及围绕所述中央电极的沟槽电极，包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：刘曼文，李志华，成文政，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：