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本申请公开了一种三维探测器及其制备方法，涉及半导体器件领域，制备方法包括：提供半导体衬底，包括半导体基底以及位于半导体基底一侧表面上的半导体器件层；在半导体器件层内形成中央电极以及围绕中央电极的沟槽电极，中央电极与沟槽电极的掺杂类型不同；在...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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