多芯片封装结构及封装方法技术

技术编号:43697139 阅读:21 留言:0更新日期:2024-12-18 21:12
本发明专利技术提供了多芯片封装结构及封装方法,多芯片封装结构包括:封装基板,所述封装基板上布设有第一导电线;第一芯片,所述第一芯片设置于所述封装基板上,所述第一芯片通过所述第一导电线与所述封装基板电性连接;TVC转换板,所述TVC转换板设置于所述第一芯片上且与所述第一芯片电性连接,所述TVC转换板靠近边缘位置设置有垂直贯通的TVC导电通孔;BCB介质膜,所述BCB介质膜涂覆于所述TVC转换板上表面;第二芯片,所述第二芯片设置于所述BCB介质膜上方且与所述TVC转换板电性连接;第三芯片,所述第三芯片设置于所述第二芯片上方且与所述第二芯片电性连接;本发明专利技术能够降低传输损耗与时延,保证了信号传输的完整性;且有效的提高多芯片封装体的散热效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片封装,尤其涉及多芯片封装结构及封装方法


技术介绍

1、多芯片封装结构,指的是至少包含两个芯片(芯片的种类不限,任意搭配)的封装体,被广泛应用于各种电子设备中,如手机、平板电脑、笔记本电脑等;多芯片封装结构在现代电子设备中发挥着重要作用,并随着技术的不断进步而不断发展。

2、经检索,公告号为cn117766501a的中国专利公开了一种多芯片封装结构及其封装方法。其中,多芯片封装结构包括引线框架、第一芯片、第二芯片和填充材料。引线框架包括芯片载体和引线管脚。第一芯片倒装设置于芯片载体,且第一芯片与引线管脚电性连接。第二芯片正装设置于第一芯片的顶部,且第二芯片与引线管脚电性连接。填充材料填充于第一芯片与引线框架之间。

3、上述专利的多芯片封装结构及其封装方法,降低了成本,提高了通用性,并实现高密度。然而,上述多芯片封装难度比较大,必须有足够的面积和空间用以实现叠层芯片的贴装和引线键合;且多芯片封装结构的散热效率不高,在长时间的使用过程中,芯片很容易受到温度的影响而损坏,严重削弱了芯片的使用寿命。p>

4、需要说本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多芯片封装结构,其特征在于,多芯片封装结构包括:

2.根据权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述TVC转换板顶面形成有RDL再布线层,所述BCB介质膜涂覆于所述RDL再布线层上表面,且所述RDL再布线层电连接至所述TVC导电通孔。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述TVC导电通孔内设置有导电连接件,所述导电连接件上连接有第二导电线,所述第二导电线通过所述导电连接件与所述封装基板电性连接。

4.根据权利要求3所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述导电连接件的上表面还连接有第三导电线和第四导电线,所述第二芯片与所述导...

【技术特征摘要】

1.一种多芯片封装结构,其特征在于,多芯片封装结构包括:

2.根据权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述tvc转换板顶面形成有rdl再布线层,所述bcb介质膜涂覆于所述rdl再布线层上表面,且所述rdl再布线层电连接至所述tvc导电通孔。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述tvc导电通孔内设置有导电连接件,所述导电连接件上连接有第二导电线,所述第二导电线通过所述导电连接件与所述封装基板电性连接。

4.根据权利要求3所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述导电连接件的上表面还连接有第三导电线和第四导电线,所述第二芯片与所述导电连接件通过所述第三导电线电性连接,所述第三芯片与所述导电连接件通过所述第四导电线电性连接。

5.根据权利要求4所述的多芯片封装结构,其特征在于,所述导电连接件平齐或外露于所述tv...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴佳李礼吴叶楠
申请(专利权)人:丽水威固电子科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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