【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
1、现有的半导体器件制作过程中通过光刻工艺实现图形转移。光刻工艺的流程可包括来片表面预处理、涂光刻胶、软烤、对位曝光、显影、坚膜、台面腐蚀、去胶等。由于光刻工艺流程多，操作流程繁琐，对环境温湿度及洁净度要求高，生产周期长，中间过程易产生异常返工，设备投入大，生产成本高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种半导体器件的制作方法，用激光去除掩膜，替代光刻实现图形转移，减少或取消光刻工艺的使用，减少光刻工艺产生的废液废胶，更环保，且激光刻蚀操作便捷，降低流片时间和成本。
2、本专利技术实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一个或多个：
3、其中，第一制程包括：
4、在半导体衬底的至少一侧形成第一保护层；
5、通过激光工艺去除部分第一保护层，以形成暴露半导体衬底的待掺杂区域的掺杂窗口；
6、对待掺杂区域进行掺杂处理，以形成掺杂
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【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，对待挖槽区域进行腐蚀处理以形成沟槽包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，对待挖槽区域进行腐蚀处理以形成沟槽还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述至少一侧为半导体衬底的第一侧和第二侧，通过激光工艺去除所述第二保护层的部分以形成暴露半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，实现半导体器件的双面图案的准确
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，对待挖槽区域进行腐蚀处理以形成沟槽包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，对待挖槽区域进行腐蚀处理以形成沟槽还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述至少一侧为半导体衬底的第一侧和第二侧，通过激光工艺去除所述第二保护层的部分以形成暴露半导体衬底的待挖槽区域的沟槽窗口包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，实现半导体器件的双面图案的准确对位包括：
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在对待挖槽区域进行腐蚀处理以形成沟槽之后，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在半导体衬底的至少一侧形成第三保护层包括：
8.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三保护层包括：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅、玻璃、聚酰亚胺、光刻胶、蜡、绿油、黑胶和硅胶中的一种或多种，在半导体衬底的至少一侧形成有沟槽，在半...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡锦波，孙江涛，
申请(专利权)人：马鞍山市槟城电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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