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本发明实施例公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在半导体衬底的至少一侧形成第二保护层，第二保护层包括：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅、玻璃、聚酰亚胺、光刻胶、蜡、绿油、黑胶和硅胶中的一种或多种；通过激光工艺去除所述第二保护层的部分，...
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