用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法、装置及系统制造方法及图纸

本发明专利技术涉及异质结电池钝化镀膜技术领域，具体涉及一种用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法、装置及系统，包括如下步骤：步骤S1，将PECVD腔体的温度预设至220‑260℃，将N型单晶硅片送入PECVD腔体；步骤S2，启动第一电源，通入O<subgt;2</subgt;和SiH<subgt;4</subgt;，电磁场的功率设定为100‑600W，在N型单晶硅片的表面得到I<subgt;1</subgt;层；步骤S3，启动第二电源，通入SiH<subgt;4</subgt;，电磁场的功率设定为100‑400W，在I<subgt;1</subgt;层的表面得到I<subgt;2</subgt;层；步骤S4，启动第三电源，通入SiH<subgt;4</subgt;和H<subgt;2</subgt;，电磁场的功率设定为100‑400W，在I<subgt;2</subgt;层的表面得到I<subgt;3</subgt;层；步骤S5，将I层钝化的N型单晶硅片送出PECVD腔体；本发明专利技术在沉积I<subgt;1</subgt;层的同时通入O<subgt;2</subgt;以抑制高温带来的外延生长，配合电磁场，从而在高温环境下大幅提高了镀膜的速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及异质结电池钝化镀膜，具体涉及一种用于异质结电池i层钝化的连续镀膜方法、装置及系统。

技术介绍

1、传统的hjt电池结构首先在n型单晶硅片(c-si)的正面沉积很薄的本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)和n型非晶硅薄膜(n-a-si:h)，然后在硅片的背面沉积很薄的本征非晶硅薄膜(i-a-si:h)和p型非晶硅薄膜(p-a-si:h)形成背表面场；再在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜(tco)，最后在tco上制作金属电极。

2、想要获得高效的异质结电池，i层都钝化相当重要，这是异质结高voc的主要原因之一，i层用来钝化电池表面的复合和缺陷；目前市面上i层都是使用静态低温镀膜(200°左右)，低温镀膜的原因为：如果i层用高温做钝化效果非常差，高温特别容易引起外延生长，外延是影响i层钝化的重要因素，所以严格控制i层的温度，其次跟硅片接触的i1层需要快速沉积，防止外延生长，所以i1需要高功率镀膜。

3、因此，如何避免i1层在高温环境下发生外延生长是本领域亟需解决的技术问题。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，还包括：

3.如权利要求1所述的用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1所述的用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：

5.如权利要求1所述的用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，

6.如权利要求1所述的用于异质结电池I层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，

7.如权利要求1所述的用于异质结电池I层钝...

【技术特征摘要】

1.一种用于异质结电池i层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的用于异质结电池i层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，还包括：

3.如权利要求1所述的用于异质结电池i层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，还包括：

4.如权利要求1所述的用于异质结电池i层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，所述步骤s1还包括：

5.如权利要求1所述的用于异质结电池i层钝化的连续镀膜方法，其特征在于，

6.如权利要求1所述的用于异质结电池i...

【专利技术属性】
技术研发人员：王迅，夏建峰，
申请(专利权)人：常州比太科技有限公司，
类型：发明
国别省市：