【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造工艺领域,尤其涉及一种铜基复合金属显示蚀刻液及其制备方法与应用。
技术介绍
1、金属蚀刻是一种通过采用湿法蚀刻和干法蚀刻两种方法对金属材料进行化学反应或者物理摩擦等方式进行表面金属移除的技术。通常,金属蚀刻也可以被称为光化学金属蚀刻,曝光制板、显影后,将需要蚀刻区域的保护膜去除,在金属接触到蚀刻液时,通过蚀刻液的化学反应等作用达到对金属表面的溶解腐蚀作用,从而能够形成凹凸或者镂空成型的效果。大型显示器的栅极及数据金属配线所使用的铜合金,与使用铝铬配线相比,具有阻抗低、机械强度高、抗电迁移更佳且没有环境问题等优点,然而铜与玻璃基板及绝缘膜的粘附性较差且易扩散为氧化硅膜,所以通常使用钛、钼等作为下层薄膜金属。
2、铜基复合金属蚀刻液进行蚀刻反应需要三步:第一步金属氧化过程,第二步溶解,第三步螯合金属离子。其中,影响蚀刻速率的主要是金属氧化过程。由于过氧化氢的氧化性高于一价铜离子(cu+)和铜单质(cu),加之cu2+对过氧化氢的分解有催化作用,所以整个反应还存在着副反应:铜离子催化过氧化氢分解,铜单质被铜
...【技术保护点】
1.一种铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于,按照重量份计算,包括如下组分:
2.根据权利要求1所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
4.根据权利要求1所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
5.根据权利要求4所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
6.根据权利要求1所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
7.根据权利要求1所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
8.一种权利要求1-7任一项所述的铜基复合
...【技术特征摘要】
1.一种铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于,按照重量份计算,包括如下组分:
2.根据权利要求1所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
3.根据权利要求1所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
4.根据权利要求1所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
5.根据权利要求4所述的铜基复合金属显示蚀刻液,其特征在于:
6.根据权利要求1所述的铜基复...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯军,曹莉芳,彭仁杰,张敬坤,何佳丽,
申请(专利权)人:浙江奥首材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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