形成金属互联的方法以及金属互联结构技术

本发明专利技术提供一种形成金属互联的方法以及金属互联结构，能够提高金属层的抗电迁移能力，提高器件性能，提升产品良率。为了解决上述问题，本发明专利技术提供了一种形成金属互联的方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成钛氮合金层；对所述钛氮合金层表面进行氧化处理；在氧化处理后的表面形成铝金属层。上述技术方案中的氧化步骤使钛氮合金层表面富集的Ti被氧化，晶向从{002}晶向转化成{111}晶向，保证了生长铝金属层的表面为{111}晶向，在此晶向上诱导生长的铝金属层，也继承了{111}晶向。{111}晶向的铝金属层具有更好的抗电迁移能力，从而提高了器件性能，提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种形成金属互联的方法以及金属互联结构。

技术介绍

1、电迁移是微电子器件互连线可靠性主要的失效机理之一，它可造成金属化的开路和短路使得器件的漏电流增加。金属是晶体金属离子按序排列在晶体内部的，当没有加外电场时金属离子是在晶格内通过空位而变换位置，这种称为金属离子的自扩散运动。这种运动是随机发生的任一靠近邻近空位的离子有相同的概率和空位交换位置，所以自扩散不会引起质量的运输。但是当金属当作导线传导直流电流时，电场驱动电子由阴极向阳极运动，高速运动的电子不断与金属原子发生能量的交换原子受到了猛烈的电子冲击力这就是所谓的电子风。金属离子由于受到电子风的驱动经由空位从阴极向阳极定向扩散这个就是电迁移。因此如何提高金属层的抗电迁移能力，是现有技术需要解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种形成金属互联的方法以及金属互联结构，能够提高金属层的抗电迁移能力，提高器件性能，提升产品良率。

2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种形成金属互联本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成金属互联的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化处理温度范围是250-400℃，氧化所采用的O2流量为3000～5000标准升/分，时间80～120秒。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化钛为团簇形貌。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底表面具有绝缘层，所述绝缘层表面具有钛金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在所述铝金属层表面继续形成抗反射层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述抗反射层为钛/...

【技术特征摘要】

1.一种形成金属互联的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化处理温度范围是250-400℃，氧化所采用的o2流量为3000～5000标准升/分，时间80～120秒。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化钛为团簇形貌。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底表面具有绝缘层，所述绝缘层表面具有钛金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在所述铝金属层表面继续形成抗反射层...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜翠，拉海忠，闫晓晖，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：