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本发明提供一种形成金属互联的方法以及金属互联结构，能够提高金属层的抗电迁移能力，提高器件性能，提升产品良率。为了解决上述问题，本发明提供了一种形成金属互联的方法，包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成钛氮合金层；对所述钛氮合金层表面进...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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